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龙图腾网恭喜深圳市欣博跃电子有限公司申请的专利芯片热阻的测量方法、系统、装置及储存介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119199459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411707336.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权芯片热阻的测量方法、系统、装置及储存介质是由李俊;张贤俊;黄思嘉;符中凯设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片热阻的测量方法、系统、装置及储存介质在说明书摘要公布了：本发明涉及电子元件测量技术领域，公开了一种芯片热阻的测量方法、系统、装置及储存介质，所述方法包括获取热图像数据、对热图像数据进行去噪处理、构建芯片热阻函数、芯片热阻测试、获取芯片热阻标准值及测试结果分析。本方法通过精准的稳态热阻测试，有效提升芯片的热阻测量精度，优化热管理性能，解决了传统测量中精度不足、热阻特性描述不准确的问题。与现有技术相比，该方法高效、准确、快速地测量芯片热阻，提高了器件热管理的效率和可靠性。

本发明授权芯片热阻的测量方法、系统、装置及储存介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片热阻的测量方法，其特征在于，由计算机执行，包括：通过运行温度控制程序使目标芯片的发热点升温，并利用红外成像设备获取不同温度下的热图像数据；对不同温度下的所述热图像数据进行去噪处理，获得标准热图像数据；根据所述标准热图像数据，构建不同温度下的热阻函数，所述热阻函数用于表示芯片内发热区域的热阻特性；基于不同温度下的所述热阻函数，对目标芯片的发热点进行热阻测试，计算得到芯片各发热点的热阻测试结果，所述热阻测试结果包括各发热点的稳态热阻值和整体热阻值；获取用户输入的热阻标准值，所述热阻标准值包括整体热阻标准值和单发热点热阻标准值；将所述热阻标准值与所述热阻测试结果进行验证，若所述热阻测试结果符合所述热阻标准值，则输出所述不同温度下的热阻函数和芯片热管理性能合格提示信息；若所述热阻测试结果不符合所述热阻标准值，则输出芯片热管理性能不合格提示信息；其中，所述根据所述标准热图像数据，构建不同温度下的热阻函数，包括：根据所述标准热图像数据，在芯片发热区域叠加等温线，计算得到区域内的温度梯度；基于傅里叶热传导定律和所述温度梯度，确定所述芯片发热区域内的热流密度；确定热阻函数；其中，热阻函数的计算方式为： 其中，是热阻函数，是相邻等温线之间的温差，是材料导热系数，是温度梯度，是导热面积；其中，所述基于傅里叶热传导定律和所述温度梯度，确定所述芯片发热区域内的热流密度，包括：通过以下公式计算温度梯度： 其中，是相邻等温线之间的空间距离；通过以下公式计算热流密度： 其中，是热流密度，是材料导热系数；其中，整体热阻值是对整个发热点区域在各个温度条件下进行综合分析后的热阻值，整体热阻值的计算公式为： 其中，是整体热阻值；是在整个加热或冷却周期内的平均温差，是加热或冷却的持续时间，是在时刻的瞬时温差；是在整个加热或冷却周期内的平均热流密度，是时刻的瞬时热流密度。

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