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龙图腾网恭喜上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411641692.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由诸荣烽;王兆祥;徐兵;王晓雯;梁洁;方文强;牛清坡设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域。制作方法包括：提供目标层，在目标层上形成掩膜层，图案化掩膜层形成掩膜图形；根据掩膜图形刻蚀目标层，在目标层形成第一沟槽，第一沟槽的侧壁具有第一倾斜角度；执行至少一次以下步骤：刻蚀掩膜图形的侧壁，增大掩膜图形的尺寸，根据刻蚀后的掩膜图形刻蚀目标层；将第一沟槽刻蚀成目标沟槽，目标沟槽的侧壁具有目标倾斜角度，目标倾斜角度小于第一倾斜角度，目标倾斜角度小于30°。本公开无需繁琐的曝光、刻蚀步骤，简化了制作工序、降低了制作难度、节约了制作成本。

本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供目标层，在所述目标层上形成掩膜层，图案化所述掩膜层形成掩膜图形；其中，所述目标层为形成在衬底上的氮化硅层；根据所述掩膜图形刻蚀所述目标层，在所述目标层形成第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁具有第一倾斜角度；执行至少一次以下步骤：刻蚀所述掩膜图形的侧壁，增大所述掩膜图形的尺寸，根据刻蚀后的掩膜图形刻蚀所述目标层；将所述第一沟槽刻蚀成目标沟槽，所述目标沟槽的侧壁具有目标倾斜角度，所述目标倾斜角度小于所述第一倾斜角度，所述目标倾斜角度小于30°；其中，采用第三气体根据刻蚀后的掩膜图形刻蚀所述目标层，所述第三气体包括氟基气体和氧化性气体；氟基气体选自SF6、NF3、CF4、C2F、C4F8、C5F8或C4F6中的至少一种；氧化性气体选自O2、N2、N2H2等具有氧化性的气体中的至少一种；所述第一沟槽的槽深与所述目标层的厚度比为1:2-1:3；所述第一沟槽的关键尺寸与所述目标沟槽的关键尺寸的比例为0.9-1.1:1。

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