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恭喜洛阳中硅高科技有限公司万烨获国家专利权

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龙图腾网恭喜洛阳中硅高科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119082875B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411586464.5,技术领域涉及:C30B29/36;该发明授权一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法是由万烨;张邦洁;陈辉;常卓明;刘见华设计研发完成,并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法在说明书摘要公布了:本发明属于半导体设备技术领域,具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法,通过设置多圈棒体以及对应的物料进口管路和冷态进口管路,并根据棒体的直径情况及时调整不同进口管路的开闭和流量大小,由于高温气氛通常位于门字型棒体内部的区域,采用冷态气体正对与炉内的高温气氛进行混合以达到气氛降温的效果,从而在不影响晶体生长的情况下对高温气氛进行冷却来降低物料的反应活性,进而达到抑制气氛中形成微粉的目的,有利于提高碳化硅晶体的生长质量。

本发明授权一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅晶体沉积装置,其特征在于,包括:罩体和底盘;所述底盘与所述罩体的底端密封配合以形成沉积空间;所述底盘上至少布置有多个第一电极和多个第二电极,多个所述第一电极形成第一电极环,多个所述第二电极形成第二电极环,所述第二电极环包围所述第一电极环,所述第一电极上对应设置有第一棒体,相邻的两个所述第一棒体的顶端通过第一横向棒体连接,所述第二电极上对应设置有第二棒体,相邻的两个所述第二棒体的顶端通过第二横向棒体连接;所述底盘上穿插设置有多个第一进料管路和多个第二进料管路,多个所述第一进料管路分布在所述第一电极环与所述第二电极环之间的区域,多个所述第二进料管路分布在所述第二电极环的外围;所述第一进料管路和所述第二进料管路分别用于向所述沉积空间输送反应物料;所述第一进料管路上设置有第一进料阀门和第一进料计量部件,所述第二进料管路上设置有第二进料阀门和第二进料计量部件;所述底盘上还穿插设置有多个第一冷态进口管路和多个第二冷态进口管路,所述第一冷态进口管路位于所述沉积空间的一端朝向所述第一横向棒体;所述第二冷态进口管路位于所述沉积空间的一端朝向所述第二横向棒体;所述第一冷态进口管路上设置有第一冷态阀门和第一冷态计量部件,所述第二冷态进口管路上设置有第二冷态阀门和第二冷态计量部件;所述沉积空间内设置有晶体膜厚检测部件,所述晶体膜厚检测部件用于检测所述第一棒体和所述第二棒体的直径,所述碳化硅晶体沉积装置还包括控制单元,所述控制单元分别与所述第一进料阀门、第一进料计量部件、第二进料阀门、第二进料计量部件、第一冷态阀门、第一冷态计量部件、第二冷态阀门以及第二冷态计量部件电性连接,用于当控制单元检测到所述第一棒体和或所述第二棒体的直径小于第一阈值时,控制所述第一冷态阀门和所述第二冷态阀门关闭或者通入反应物料;以及,当控制单元检测到所述第一棒体和或所述第二棒体的直径大于或等于第一阈值且小于或等于第二阈值时,控制所述第一冷态阀门开启并通入冷态气体,且控制所述第一冷态计量部件的总流量不超过所述第一进料计量部件和所述第二进料计量部件的总流量的13;以及,当控制单元检测到所述第一棒体和或所述第二棒体的直径大于第二阈值时,控制所述第一冷态阀门和所述第二冷态阀门同时开启并通入冷态气体,且控制所述第一冷态计量部件和所述第二冷态计量部件的总流量不超过所述第一进料计量部件和所述第二进料计量部件的总流量的13,且随着棒体直径的增大,所述第一冷态计量部件和所述第二冷态计量部件的总流量逐渐减小直至关闭;所述第一冷态进口管路在所述罩体内的高度不超过所述第一棒体高度的13,且最低与所述底盘平齐;所述第一冷态进口管路朝向所述第一横向棒体的一端设置有第一喷嘴,所述第二冷态进口管路朝向所述第二横向棒体的一端设置有第二喷嘴;所述第一喷嘴和所述第二喷嘴的横截面为细长条形截面,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴的长宽比大于等于1.5:1,且小于等于5:1;所述第一喷嘴的长轴在所述底盘上的正投影与对应的所述第一横向棒体在所述底盘上的正投影呈正交形成布置;所述第二喷嘴的长轴在所述底盘上的正投影与对应的所述第二横向棒体在所述底盘上的正投影呈正交形成布置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人洛阳中硅高科技有限公司,其通讯地址为:471100 河南省洛阳市孟津县先进制造业开发区华夏大道101号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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