恭喜北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司廖昱程获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司申请的专利相变化存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101742.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权相变化存储器及其制造方法是由廖昱程;刘峻志;李宜政;邱泓瑜设计研发完成，并于2019-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变化存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：一种相变化存储器1，包括下电极20、加热器30、相变化层50以及上电极70。加热器30耦接于下电极20。相变化层50形成于加热器30上方，且相变化层50耦接于加热器30。上电极70设置于相变化层50的凹槽510内，且上电极70耦接于相变化层50。
本发明授权相变化存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种相变化存储器，其中，包括： 下电极； 加热器，耦接于所述下电极； 相变化层，形成于所述加热器上方，所述相变化层耦接于所述加热器，且所述相变化层具有凹槽； 上电极，设置于所述相变化层的所述凹槽内，且所述上电极耦接于所述相变化层；以及 第一热绝缘层，围绕所述相变化层的外侧面周围； 其中，所述相变化层包括头部以及颈部，所述颈部的最大线宽小于所述头部的最小线宽，且所述凹槽形成于所述头部中并与所述颈部的水平面齐平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司，其通讯地址为：100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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