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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119070824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411584941.4，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法是由肖裕;王锋;颜盾;余小游设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法。所述方法包括：DAC电容阵列；DAC电容阵列包括正向电容阵列、负向电容阵列、随机数发生器和共模电压产生电路，正向电容阵列和负向电容阵列中各电容的上极板并联，并与共模电压产生电路连接；正向电容阵列和负向电容阵列包括高位电容阵列和低位电容阵列，高位电容阵列包括若干温度计加权的高位电容，低位电容阵列包括若干二进制加权的低位电容，高位电容阵列与随机数发生器连接；高位电容和低位电容的下极板分别通过三路选通开关接入参考电压、差分输入电压或接地。采用本方法能够降低SARADC的功耗并减小失配影响。

本发明授权基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法在权利要求书中公布了：1.一种基于共模电压的逐次逼近ADC，其特征在于，所述ADC包括：数模转换模块；所述数模转换模块包括DAC电容阵列；所述DAC电容阵列包括正向电容阵列、负向电容阵列、随机数发生器和共模电压产生电路，所述正向电容阵列和所述负向电容阵列中各电容的上极板并联，并与所述共模电压产生电路连接，以在采样相位接入共模电压；所述正向电容阵列和所述负向电容阵列包括高位电容阵列和低位电容阵列，所述高位电容阵列包括若干温度计加权的高位电容，所述低位电容阵列包括若干二进制加权的低位电容，所述高位电容阵列与所述随机数发生器连接，在比较相位时根据所述随机数发生器的输出选择对应位数的高位电容接入参考电压；所述高位电容和所述低位电容的下极板分别通过三路选通开关接入参考电压、差分输入电压或接地；所述DAC电容阵列用于根据采样相位接入的差分输入电压以及共模电压对输入信号进行采样，得到采样值，根据比较相位接入的参考电压，对所述采样值和所述参考电压作差，得到所述DAC电容阵列的输出电压，根据所述输出电压完成ADC的模数转换；所述共模电压产生电路包括：缓冲器、第一分压电容、第二分压电容、第一开关、第二开关和第三开关；所述缓冲器的输入端接地，所述缓冲器的输出端连接所述第一分压电容的第二连接端以及所述第二分压电容的第二连接端，所述第一开关的第一连接端接入工作电压VDD，所述第一开关的第二连接端与第二开关的第一连接端连接，所述第三开关的第一连接端接入工作电压VDD，所述第三开关的第二连接端与所述第二开关的第二连接端连接，所述第二开关的第一连接端与所述第一分压电容的第一连接端连接，所述第二开关的第二连接端与所述第二分压电容的第二连接端连接；所述第一分压电容的第一连接端与所述正向电容阵列中各电容的上级板连接，所述第二分压电容的第一连接端与所述负向电容阵列中各电容的上级板连接。

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