恭喜中国电气装备集团科学技术研究院有限公司陈彦光获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电气装备集团科学技术研究院有限公司申请的专利半导体器件的高温特性测试方法、设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119064749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411563159.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体器件的高温特性测试方法、设备及可读存储介质是由陈彦光;田鸿昌;周荣设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的高温特性测试方法、设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件测试技术领域，具体提供一种半导体器件的高温特性测试方法、设备及可读存储介质，该高温特性测试方法包括：对半导体器件施加预加热电流；对半导体器件施加测试电流和或测试电压，以对半导体器件进行高温特性测试；响应于测试结束，对半导体器件施加小信号电流，并获取半导体器件的当前结温；基于半导体器件的温差预测系数、当前结温和测试结束时长，预测半导体器件在测试结束瞬间的测试结温；基于测试结温和目标测试温度，确定本轮测试是否有效；若是，则结束测试，生成测试结果；若否，则修正预加热电流的电流值，返回对半导体器件施加预加热电流的步骤。通过上述方式，本申请能够提高半导体器件高温特性测试的精度。
本发明授权半导体器件的高温特性测试方法、设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的高温特性测试方法，其特征在于，包括如下步骤：对半导体器件施加预加热电流；对所述半导体器件施加测试电流和或测试电压，以对所述半导体器件进行高温特性测试；响应于测试结束，对所述半导体器件施加小信号电流，并获取所述半导体器件的当前结温；基于所述半导体器件的温差预测系数、所述当前结温和测试结束时长，预测所述半导体器件在测试结束瞬间的测试结温，其中，所述测试结束时长为当前结温的获取时间与测试结束时间之间的时间间隔，所述温差预测系数表征所述半导体器件的热扩散程度；基于所述测试结温和目标测试温度，确定本轮测试是否有效；若是，则结束测试，生成测试结果；若否，则修正所述预加热电流的电流值，返回所述对半导体器件施加预加热电流的步骤。
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