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龙图腾网恭喜粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利半导体测试结构、晶圆以及金属短路测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411563002.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构、晶圆以及金属短路测试方法是由汪红丽;蓝晨曦;何谊;方泽锋;范丽萍设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构、晶圆以及金属短路测试方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体测试结构、晶圆以及金属短路测试方法，该半导体测试结构包括：梳齿结构单元、两个U型结构单元组、第一测试焊垫、第二测试焊垫、第三测试焊垫以及第四测试焊垫，两个NMOS管组；梳齿结构单元包括主干金属线以及分别设置于主干金属线两侧的两个梳齿组；第一测试焊垫与主干金属线的一端连接；两个U型结构单元组分别位于主干金属线的两侧，且与梳齿结构单元互不接触，每个所述NMOS管组包括与一个所述U型结构单元组中的U型结构单元一一对应的NMOS管。实现了可以监测相关制造工艺是否存在引起金属短路的制程缺陷，并且可以更准确定位具体的失效点位置，有利于分析和改善工艺制程的相关问题，提高半导体成品良率。

本发明授权半导体测试结构、晶圆以及金属短路测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：梳齿结构单元、两个U型结构单元组、第一测试焊垫、第二测试焊垫、第三测试焊垫以及第四测试焊垫，其中，所述梳齿结构单元、两个U型结构单元组、第一测试焊垫、第二测试焊垫、第三测试焊垫以及第四测试焊垫设置于晶圆的金属层；两个NMOS管组，其中，所述NMOS管组设置于晶圆的器件层；所述梳齿结构单元包括主干金属线以及分别设置于所述主干金属线两侧的两个梳齿组，每个所述梳齿组包括平行间隔设置的多条齿状金属线，所述多条齿状金属线包括交错分布的第一齿状金属线和第二齿状金属线；所述第一测试焊垫与所述主干金属线的一端连接；所述两个U型结构单元组分别位于所述主干金属线的两侧，且与所述梳齿结构单元互不接触，每个所述U型结构单元组包括与一个所述梳齿组中的第一齿状金属线一一对应的U型结构单元，所述U型结构单元的开口朝向所述主干金属线，所述第一齿状金属线穿过开口嵌入对应的U型结构单元内，所述U型结构单元包括底边金属线和两条侧边金属线；每个所述NMOS管组包括与一个所述U型结构单元组中的U型结构单元一一对应的NMOS管，所述NMOS管的漏极端与对应的U型结构单元的底边金属线通过对应的通孔连接；所述第二测试焊垫与一个所述NMOS管组中的NMOS管的源极端通过对应的通孔连接；所述第三测试焊垫与另一个所述NMOS管组中的NMOS管的源极端通过对应的通孔连接；所述第四测试焊垫与每个所述NMOS管的栅极端通过对应的通孔连接。

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