恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411397328.1，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法是由刘苏涛;林士闵设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法在说明书摘要公布了：本申请公开了提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法，所述提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法包括：提供一基材，所述基材包括氮化硅层和氧化硅层；采用磷酸溶液对所述氮化硅层进行蚀刻，且蚀刻过程中通过微波加热所述磷酸溶液以及所述氮化硅层和所述氧化硅层，其中，所述氮化硅层掺有碳源,和或所述氧化硅层采用多孔氧化硅，从而达到提高所述氮化硅层和所述氧化硅层蚀刻选择比的目的。由于整个蚀刻过程中无需在磷酸溶液中引入昂贵添加剂来实现氮化硅层和氧化硅层蚀刻选择比的提高，因而解决了现有方法存在的成本偏高和污染较大的技术问题。
本发明授权提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法，包括：提供一基材，所述基材包括氮化硅层和氧化硅层；对磷酸溶液进行预加热，预加热后的所述磷酸溶液的温度为60℃-100℃；使预加热后的所述磷酸溶液接触所述氮化硅层而蚀刻所述氮化硅层，且蚀刻过程中通过微波加热所述磷酸溶液以及所述氮化硅层和所述氧化硅层；其中，预加热后的所述磷酸溶液在蚀刻所述氮化硅层的过程中被微波继续加热而加热到120℃-180℃；所述氮化硅层掺有碳源,和或所述氧化硅层采用多孔氧化硅。
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