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龙图腾网恭喜深圳市港祥辉电子有限公司申请的专利一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411369006.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法是由王刚;李成兵设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，从下到上依次设置有Fe掺杂半绝缘衬底、非故意掺杂UID层以及Si掺杂轨道层；所述Si掺杂轨道层的两侧均设置有n+源区，n+源区的上方设置有源极金属和漏极金属；所述Si掺杂轨道层的底部设置有p型沟道控制区，所述p型沟道控制区的正上方设置有位于Si掺杂轨道层表面的栅极介质槽、绝缘介质以及栅极金属。通过采用横向沟槽栅结构，显著改善了栅极的控制能力，降低了器件的衬底漏电，提高了器件的电气稳定性和能效，在Si掺杂轨道层下方构建p型沟道控制区，进一步降低了由沟槽栅结构引起的导通电阻，增加了开态电流。

本发明授权一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件，其特征在于，包括Fe掺杂半绝缘衬底，所述Fe掺杂半绝缘衬底位于该器件的最底端，所述Fe掺杂半绝缘衬底的上方设置有非故意掺杂UID层，所述非故意掺杂UID层的上方设置有Si掺杂轨道层；所述Si掺杂轨道层的两侧均设置有n+源区，位于Si掺杂轨道层其中一侧的n+源区的上方设置有源极金属，位于Si掺杂轨道层另一侧的n+源区的上方设置有漏极金属；所述Si掺杂轨道层的底部设置有p型沟道控制区，所述p型沟道控制区的正上方设置有位于Si掺杂轨道层表面的栅极介质槽，所述栅极介质槽的内表面以及Si掺杂轨道层的上表面上设置有绝缘介质，所述栅极介质槽的内部设置有栅极金属；所述n+源区、源极金属和漏极金属均采用Ti-Au双层金属结构，所述栅极金属为Ni材料，所述绝缘介质为氧化铝材料；所述p型沟道控制区中的p型掺杂和所述Si掺杂轨道层中的Si掺杂形成pn结，构成器件的空间电荷区；所述Fe掺杂半绝缘衬底的厚度为2μm、所述非故意掺杂UID层的厚度为300nm，所述p型沟道控制区的厚度为50nm，所述Si掺杂轨道层的厚度为300nm，所述n+源区的厚度为250nm，所述栅极介质槽内表面底部的绝缘介质的厚度为30nm，所述栅极介质槽内壁上的绝缘介质的厚度为20nm；所述非故意掺杂UID层的掺杂浓度为2×1017cm-3，所述p型沟道控制区的掺杂浓度为8×1017cm-3，所述Si掺杂轨道层的掺杂浓度为1×1017cm-3，所述n+源区的掺杂浓度为8×1017cm-3。

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