上海得倍电子技术有限公司乔红瑗获国家专利权
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龙图腾网获悉上海得倍电子技术有限公司申请的专利一种基于硅基CMOS的光传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222602920U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421317904.2，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型一种基于硅基CMOS的光传感器是由乔红瑗;丁佳卿;解维祺;杨晓鹏设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅基CMOS的光传感器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种基于硅基CMOS的光传感器，包括：一个或多个单光子雪崩二极管；一个或多个CMOS晶体管电路，其中所述单光子雪崩二极管与所述CMOS晶体管电路位于同一平面，且二者之间电连接。所述单光子雪崩二极管包括掩埋层；和雪崩区薄膜，其位于所述掩埋层之上。所述雪崩区薄膜为N型锗薄膜或N型镓薄膜或N型砷薄膜或N型铟薄膜或N型磷薄膜。本实用新型的光传感器中雪崩二极管和CMOS电路在同一平面，实现在一个芯片上完成传感器的全部功能。
本实用新型一种基于硅基CMOS的光传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基CMOS的光传感器，其特征在于，包括：一个或多个单光子雪崩二极管SPAD；一个或多个硅基CMOS晶体管电路，其中所述单光子雪崩二极管与所述CMOS晶体管电路位于同一平面，且二者之间电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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