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龙图腾网恭喜南京华瑞微集成电路有限公司申请的专利一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010655617.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法是由薛璐;何军;胡兴正;刘海波设计研发完成，并于2020-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法。该器件包括衬底、若干层中间外延层和表面外延层，中间外延层和表面外延层内形成有沟槽，沟槽的底部设置在最底层的中间外延层内，沟槽内填充有第二导电类型的杂质，沟槽的两侧的每层中间外延层上侧形成若干个第一导电类型的pillar，第一导电类型的pillar的端部深入至沟槽的内部。本发明通过在沟槽的两侧设置若干个第一导电类型的pillar，从而改变沟槽内的第二导电类型的pillar的形状，使得开关过程中，Coss的充放电会变缓，减小了开关震荡，降低了开关噪声，EMI性能得到提升；且由于未增加整体的EPI厚度及光罩层，成本也不会增加。

本发明授权一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种改善EMI的深沟槽MOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上制作若干层中间外延层，每层中间外延层的上侧注入形成有第一导电类型的重掺杂层，在最上层中间外延层上侧制作表面外延层；步骤2，在所述表面外延层上长掩蔽层，在有源区内的掩蔽层上制作JEFT注入开口，并通过所述JEFT注入开口对表面外延层进行JEFT注入操作，以在表面外延层上形成JEFT注入区；步骤3，在所述掩蔽层上制作沟槽开口，并通过所述沟槽开口在表面外延层和中间外延层上制作沟槽，沟槽的底部设置在最底层的中间外延层内，向所述沟槽内填充第二导电类型的杂质；步骤4，执行退火操作，以将所述重掺杂层退火形成端部深入至沟槽内部的第一导电类型的柱子；步骤5，在表面外延层、JEFT注入区和沟槽的上侧长氧化层，并将有源区内的氧化层去除，仅保留终端区的氧化层；步骤6，在所述氧化层和有源区内的表面外延层的上侧长栅氧化层，在栅氧化层的上侧沉积多晶，并进行多晶掺杂，并刻蚀掉终端区、沟槽上侧以及有源区与终端区之间的多晶及栅氧化层；步骤7，在有源区内多晶两侧的表面外延层及多晶执行杂质注入和推阱操作，以形成第一导电类型的重掺杂区，同时对多晶重掺杂；步骤8，在所述表面外延层、沟槽、第一导电类型的重掺杂区和多晶的上侧沉积介质层，在所述介质层上刻蚀形成连接孔；步骤9，在所述介质层的上侧及连接孔内溅射形成金属层，并将所述金属层刻蚀形成栅区和源区。

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