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龙图腾网恭喜北京时代全芯存储技术股份有限公司;北京时代全芯存储科技有限公司申请的专利混合型存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113342253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010139335.7，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权混合型存储器是由廖昱程;刘峻志;邱青松设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合型存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种混合型存储器，包含存储器阵列、字线解码器、中介电路以及读写电路，其中字线解码器电性耦接存储器阵列，中介电路电性耦接存储器阵列，且读写电路电性耦接中介电路。存储器阵列包含多个混合型存储器单元。每个混合型存储器单元包含读写元件组、储存电路以及选择电路。读写元件组电性耦接于一字线与两位线。字线控制读写元件组的导通或断开，两位线分别传送两个数据信号。储存电路用于依据读取驱动信号产生两个读取回应信号。选择电路电性耦接于储存电路，且用于依据选择电压控制储存电路呈现易失性或非易失性存储模式。

本发明授权混合型存储器在权利要求书中公布了：1.一种混合型存储器，其特征是，包含：一存储器阵列，该存储器阵列包含多个混合型存储器单元；一字线解码器，电性耦接该存储器阵列；一中介电路，电性耦接该存储器阵列；以及一读写电路，电性耦接该中介电路；其中，每一该些混合型存储器单元包含：一读写元件组，电性耦接于一字线与两位线，该字线控制该读写元件组的导通或断开，该两位线分别传送两个数据信号；一储存电路，用于依据一读取驱动信号产生两个读取回应信号；以及一选择电路，电性耦接于该储存电路，该选择电路用于依据一选择电压控制该储存电路呈现一易失性存储模式，或一非易失性存储模式；其中该储存电路包含第一可变电阻、第二可变电阻，第一晶体管与第二晶体管，当该读写元件组传送该两个数据信号至该储存电路且该储存电路呈现该非易失性存储模式时，该第一可变电阻与该第二可变电阻分别依据该两个数据信号选择性地改变阻值，该选择电路用于依据该选择电压控制该第一可变电阻、该第二可变电阻、该第一晶体管及该第二晶体管之间的一电性耦接状况，当该选择电路依据该选择电压控制该电性耦接状况为导通时，该储存电路呈现该易失性存储模式，而当该选择电路依据该选择电压控制该电性耦接状况为不导通时，该储存电路呈现该非易失性存储模式；该第一可变电阻与该第二可变电阻包含相变化元件、阻变式元件；该读写电路包含：一比较器，具有两个输入端，用于比较该两个输入端所接收的信号，并输出一比较结果；一参考信号提供电路，用于提供一参考信号；以及一控制电路，用于控制该比较器的该两个输入端的电性耦接状况；其中，于一单位判断模式中，该控制电路控制该比较器的该两个输入端中的一个取得通过该中介电路的该两个读取回应信号之一，且控制该比较器的该两个输入端中的另一个取得该参考信号；于一双位判断模式中，该控制电路控制该比较器的该两个输入端分别取得通过该中介电路的该两个读取回应信号。

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