买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京时代全芯存储技术股份有限公司;北京时代全芯存储科技有限公司申请的专利混合型存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113360076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010139681.5，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权混合型存储器单元是由廖昱程;刘峻志;邱青松设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合型存储器单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种混合型存储器单元，包含读写元件组、储存电路以及选择电路。读写元件组电性耦接于一字符线与两位线，其中所述两位线分别传送两个数据信号。储存电路电性耦接读写元件组。选择电路电性耦接读写元件组及储存电路，且用于依据选择电压控制储存电路呈现易失性存储模式或非易失性存储模式。

本发明授权混合型存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种混合型存储器单元，其特征是，包含：一读写元件组，电性耦接于一字符线与两位线，该两位线分别传送两个数据信号；一储存电路，电性耦接该读写元件组；以及一选择电路，电性耦接该读写元件组及该储存电路，该选择电路用于依据一选择电压控制该储存电路呈现一易失性存储模式，或一非易失性存储模式；其中该储存电路包含第一可变电阻、第二可变电阻，第一晶体管与第二晶体管；其中，当该读写元件组传送该两个数据信号至该储存电路且该储存电路呈现该非易失性存储模式时，该第一可变电阻与该第二可变电阻分别依据该两个数据信号选择性地改变阻值；其中该选择电路用于依据该选择电压控制该第一可变电阻、该第二可变电阻、该第一晶体管及该第二晶体管之间的一电性耦接状况，当该选择电路依据该选择电压控制该电性耦接状况为导通时，该储存电路呈现该易失性存储模式，而当该选择电路依据该选择电压控制该电性耦接状况为不导通时，该储存电路呈现该非易失性存储模式；其中该选择电路包含：一第三晶体管，该第三晶体管的第一端电性耦接于该第一可变电阻的一端、该第二晶体管的控制端及该读写元件组，该第三晶体管的第二端电性耦接于该第一晶体管的第一端，且该第三晶体管的控制端用于接收该选择电压；以及一第四晶体管，该第四晶体管的第一端电性耦接于该第二可变电阻的一端、该第一晶体管的控制端及该读写元件组，该第四晶体管的第二端电性耦接于该第二晶体管的第一端，且该第四晶体管的控制端用于接收该选择电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京时代全芯存储技术股份有限公司;北京时代全芯存储科技有限公司，其通讯地址为：100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。