恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄信耀获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010124157.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体器件结构及其制造方法是由黄信耀;林政贤;周世培;许慈轩设计研发完成，并于2020-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种包含接合焊盘隔离结构的半导体器件结构。半导体衬底具有背侧表面和与背侧表面相对的前侧表面。接合焊盘延伸穿过半导体衬底。接合焊盘隔离结构设置在半导体衬底内。接合焊盘隔离结构从半导体衬底的前侧表面延伸到背侧表面，并且围绕接合焊盘连续延伸。
本发明授权半导体器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有背侧表面及与所述背侧表面相对的前侧表面；接合焊盘，延伸穿过所述半导体衬底；浅沟槽隔离结构，沿着所述半导体衬底的所述前侧表面设置；以及接合焊盘隔离结构，设置在所述半导体衬底内，其中所述接合焊盘隔离结构从所述半导体衬底的所述前侧表面延伸到所述背侧表面，以及所述接合焊盘隔离结构围绕所述接合焊盘连续延伸，其中所述浅沟槽隔离结构的至少一部分在所述接合焊盘隔离结构的相对的侧壁之间横向间隔开。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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