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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置、基片处理方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109698143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811219721.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质是由稻田尊士;河野央;大野宏树设计研发完成，并于2018-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基片处理装置、基片处理方法和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。

本发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：基片处理槽，其通过将形成有硅氮化物膜和硅氧化物膜的基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理；和控制部，在开始进行所述蚀刻处理时，所述控制部使所述磷酸处理液的温度成为初始温度，所述初始温度是所述磷酸处理液成为沸腾状态的温度，随着所述蚀刻处理的进展，所述控制部通过控制用于对所述磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低所述磷酸处理液的温度，使得所述硅氮化物膜的蚀刻速率变小，并且通过控制用于调整所述磷酸处理液中的磷酸浓度的磷酸浓度调节部，来降低所述磷酸浓度，使得所述磷酸处理液被维持在沸腾状态且相对于所述硅氧化物膜蚀刻所述硅氮化物膜的选择比变大，在所述蚀刻结束时，使所述磷酸处理液的温度降低至处理结束温度，并且使所述磷酸处理液的所述磷酸浓度降低至处理结束磷酸浓度，在之后的过蚀刻时，控制所述温度调节部来提高所述磷酸处理液的温度，并且控制所述磷酸浓度调节部来提高所述磷酸浓度。

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