英特尔公司A.A.沙尔马获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利带有后端晶体管的铁电电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111052379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094462.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权带有后端晶体管的铁电电容器是由A.A.沙尔马设计研发完成，并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有后端晶体管的铁电电容器在说明书摘要公布了：一种集成电路包括后端薄膜晶体管（TFT）、电连接到后端TFT的铁电电容器。后端TFT具有栅极电极、源极区和漏极区、在源极区与漏极区之间且物理连接源极区与漏极区的半导体区、以及栅极电极与半导体区之间的栅极电介质。铁电电容器具有电连接到源极区和漏极区中的一个的第一端子、第二端子、以及第一端子与第二端子之间的铁电电介质。在实施例中，存储器单元包括该集成电路，栅极电极电连接到字线，源极区电耦合到位线，并且漏极区是源极区和漏极区中的一个。在实施例中，嵌入式存储器包括字线、位线以及字线和位线的相交区处的多个这样的存储器单元。
本发明授权带有后端晶体管的铁电电容器在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 后端薄膜晶体管TFT，所述后端薄膜晶体管TFT具有栅极电极、源极区和漏极区、在所述源极区与所述漏极区之间且沿着从所述源极区到所述漏极区的方向物理连接所述源极区与所述漏极区的半导体区、以及所述栅极电极与所述半导体区之间的栅极电介质，其中所述栅极电极为底部栅极电极，所述底部栅极电极沿着从所述源极区到所述漏极区的方向横向延伸超出所述源极区和所述漏极区的最外侧，并且所述底部栅极电极沿着从所述源极区到所述漏极区的方向横向延伸超出所述栅极电介质的最外侧；以及 铁电电容器，所述铁电电容器电连接到所述后端TFT，并且具有电连接到所述源极区和所述漏极区中的一个的第一端子、第二端子、以及所述第一端子与所述第二端子之间的铁电电介质。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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