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龙图腾网恭喜碳方程半导体设备制造(山西)有限公司申请的专利一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510042150.7，技术领域涉及：C30B28/14；该发明授权一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法是由刘永宁;赵俊芳;乔耀明设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，涉及化学气相沉积技术领域，以钼载盘和不锈钢环组成的可拆卸式衬底组合可以进行拆分，方便清洗，可以将衬底组合进行高效的重复循环利用，不锈钢环的表面能与金刚石沉积材料相差较大，导致碳原子无法稳定附着，使预设的金刚石沉积目标区域内温场更加均匀，解决微波系统应用在多晶金刚石生长过程中的弊端，不锈钢环与金刚石晶格匹配相差较大，不锈钢环上无法形成连续均匀的晶体结构，避免钼载盘侧边缘生长多晶金刚石，导致晶片无法脱离或脱离过程导致晶片碎裂的情况出现，减少钼载盘上生长的多晶金刚石在取出阶段破碎的可能。

本发明授权一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种异质生长大尺寸多晶金刚石的生长方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：衬底组合超声清洗；步骤二：衬底组合CDA吹扫干燥；步骤三：衬底组合放置MPCVD水冷台；步骤四：MPCVD设备工作；步骤五：通入沉积气体；步骤六：生长沉积若干时长；步骤七：降温退炉；步骤八：多晶金刚石片脱离；所述衬底组合包括钼载盘（1）和钼载盘（1）外侧套设的不锈钢环（2）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人碳方程半导体设备制造(山西)有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市中北高新技术产业开发区国科大街59号晋创谷创新园1层综合区-YY20；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。