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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种小规模相控阵低仰角扫描增益轴比联合优化方法、装置及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119442704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510025168.6，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种小规模相控阵低仰角扫描增益轴比联合优化方法、装置及介质是由陈波;谭伟翔;冷浩源;雷世文;孙凯;田径;杨伟;何子远;包永芳;胡皓全设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种小规模相控阵低仰角扫描增益轴比联合优化方法、装置及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种小规模相控阵低仰角扫描增益轴比联合优化方法、装置及介质，属于机载相控阵天线增益优化技术领域。本发明方法包括：输入均匀平面相控阵天线的小规模阵列中各阵列单元的电场单元方向图的右旋圆极化电场，电场的方位面和俯仰面方向的分量；基于扫描轴比和增益构建低仰角扫描增益轴比联合优化模型，其目标函数为最小化扫描轴比的松弛变量，且该联合优化模型的约束项包括：扫描轴比约束，增益约束和恒定激励幅度模值约束；对优化模型求解，输出阵列激励、在预定扫描方向的扫描轴比与增益。本发明在保证扫描增益的情况下，通过降低低仰角扫描轴比来提升其圆极化性能，避免了低仰角扫描时圆极化性能退化导致增益下降。

本发明授权一种小规模相控阵低仰角扫描增益轴比联合优化方法、装置及介质在权利要求书中公布了：1.一种小规模相控阵低仰角扫描增益轴比联合优化方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1，输入小规模阵列中，各阵列单元的电场单元方向图的右旋圆极化电场，电场的方位面方向和俯仰面方向的电场分量；其中，小规模阵列为均匀平面相控阵天线；步骤2，基于阵列激励和两个电场分量确定小规模阵列的扫描轴比，基于阵列激励和右旋圆极化电场确定小规模阵列的增益；基于扫描轴比和增益构建低仰角扫描增益轴比联合优化模型，该联合优化模型的目标函数为最小化扫描轴比的松弛变量，且该联合优化模型的约束项包括：扫描轴比约束，增益约束和恒定激励幅度模值约束；其中，扫描轴比约束为扫描轴比小于或等于扫描轴比的松弛变量；步骤3，对构建的低仰角扫描增益轴比联合优化模型进行优化求解，输出阵列激励，基于该输出的阵列激励得到小规模阵列的在预定扫描方向的扫描轴比与增益；其中，步骤2中所构建的低仰角扫描增益轴比联合优化模型为： 其中，ε表示扫描轴比的松弛变量，表示阵列激励，其中L为小规模阵列的阵元单元数，且L＝M×N，M、N分别为小规模阵列在水平和垂直方向的阵元数，表示复数域，aθum,vm分别表示期望方向um,vm处的圆极化电场方位面方向分量和俯仰面方向分量θ的电场分量，表示圆极化电场方向分量和θ方向分量的比值，γ0、分别表示um,vm处的阵元单元的激励幅度和激励相位，e为自然底数，j为虚数单位，δ0表示相位，分别表示圆极化电场初始方位面方向分量和俯仰面方向分量θ0的电场单元方向图，其中，θ属于球坐标系，期望方向um,vm为自定义坐标系中的两个方向分量，与θ的映射关系为：um＝sinθcosφ，vm＝sinθsinφ，且θ,φ的值域为：表示电磁波在自由空间内的传播常数，λ表示波长；aRHCPum,vm表示期望方向um,vm处的右旋圆极化电场，G0表示发射功率初始值，1L×1表示维度为L×1的全1向量，|w|＝1L×1用于表征恒定激励幅度模值约束，上标“H”表示共轭转置。

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