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龙图腾网恭喜通威微电子有限公司申请的专利一种MPS二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510028689.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种MPS二极管及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MPS二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MPS二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该MPS二极管包括：N型外延片；位于N型外延片表面的终端区与有源区；其中，有源区包括至少一个第一P柱，第一P柱包括P型侧壁、第一介质层、欧姆接触层以及第二介质层；位于终端区表面的钝化保护层；位于有源区表面的第三介质层与第一金属层，及位于外延片背面的第二金属层；其中，第三介质层与第二介质层接触，且第一金属层环绕第三介质层设置。本申请提供的MPS二极管及其制作方法具有减小了器件面积以及提升了器件可靠性及鲁棒性的优点。

本发明授权一种MPS二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MPS二极管，其特征在于，所述MPS二极管包括：N型外延片；位于所述N型外延片表面的终端区与有源区；其中，所述有源区包括至少一个第一P柱，所述第一P柱包括P型侧壁、第一介质层、欧姆接触层以及第二介质层；所述P型侧壁的中间区域设置有第一沟槽，所述第一介质层、所述欧姆接触层填充于所述第一沟槽内，且所述第一介质层位于所述欧姆接触层的底部；所述欧姆接触层顶部的中间区域设置有第二沟槽，所述第二介质层填充于所述第二沟槽内；位于所述终端区表面的钝化保护层；位于所述有源区表面的第三介质层与第一金属层，及位于所述外延片背面的第二金属层；其中，所述第三介质层与所述第二介质层接触，且所述第一金属层环绕所述第三介质层设置。

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