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龙图腾网恭喜深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司申请的专利一种基于钼托组件的金刚石生长方法、系统、MPCVD设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411982755.6，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权一种基于钼托组件的金刚石生长方法、系统、MPCVD设备及介质是由陈月;全峰设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于钼托组件的金刚石生长方法、系统、MPCVD设备及介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于钼托组件的金刚石生长方法、系统、MPCVD设备及介质，所述基于钼托组件的金刚石生长方法包括：在第一钼托、第二钼托、第三钼托和钼环进行组装形成钼托组件后，将籽晶放置在第三钼托上，其中，第一钼托、第二钼托和钼环放置在MPCVD设备的基片台上；对MPCVD设备中籽晶的生长环境进行处理；将籽晶进行升温至金刚石生长温度进行生长；在籽晶开始金刚石生长至预设时间后，对MPCVD设备进行处理后取出金刚石，得到目标金刚石。本申请能够防止金刚石生长过程由于温度过高导致钼环发红，温度分布不均匀和钼环上沉积的多晶金刚石容易崩裂的情况，提升了金刚石生长的稳定性，减少了单晶金刚石表面杂质掉落的几率。

本发明授权一种基于钼托组件的金刚石生长方法、系统、MPCVD设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种基于钼托组件的金刚石生长方法，其特征在于，所述基于钼托组件的金刚石生长方法应用于钼托组件，所述钼托组件包括第一钼托、第二钼托、第三钼托和钼环，所述第一钼托呈圆环状，所述钼环套设在所述第一钼托的圆槽中，所述第二钼托和所述第三钼托分别套设在所述钼环内，所述第三钼托位于所述第二钼托上；所述基于钼托组件的金刚石生长方法包括：在所述第一钼托、所述第二钼托、所述第三钼托和所述钼环进行组装形成所述钼托组件后，将籽晶放置在所述第三钼托上，其中，所述第一钼托、所述第二钼托和所述钼环放置在MPCVD设备的基片台上；对所述MPCVD设备中所述籽晶的生长环境进行处理；将所述籽晶进行升温至金刚石生长温度进行生长，其中，在所述籽晶生长过程中通过所述钼环的热量直接传递至所述基片台进行散热；在所述籽晶开始金刚石生长至预设时间后，对所述MPCVD设备进行处理后取出金刚石，得到目标金刚石；所述第三钼托的下表面设有圆纹结构，所述钼环的外壁倾斜，使得所述钼环的上表面厚度小于下表面厚度；所述第一钼托、所述第二钼托、所述第三钼托和所述钼环进行组装形成所述钼托组件，具体包括：将所述钼环放置于所述第一钼托的圆槽处，以使所述钼环内壁垂直于所述第一钼托；将内置有所述钼环的所述第一钼托放置于基片台上；在所述钼环内放置所述第二钼托，使得所述第二钼托位于所述基片台上；在所述钼环内放置所述第三钼托，使得所述第三钼托通过所述圆纹结构位于所述第二钼托上，形成所述钼托组件。

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