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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种抗辐射加固三极管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411948740.8，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种抗辐射加固三极管器件及其制造方法是由李燕妃;谢儒彬;乔明;张波设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐射加固三极管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种抗辐射加固三极管器件及其制造方法。属于半导体技术领域。抗辐射加固三极管器件包括衬底、埋氧化层、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一隔离浅槽、第二隔离浅槽、第三隔离浅槽、第四隔离浅槽、线性氧化层、多晶硅、第四N型掺杂区、第五N型掺杂区、第三P型掺杂区。本发明通过在隔离浅槽内部填充多晶硅，减薄隔离氧化层厚度，提高三极管器件的抗总剂量辐射能力。在不增加掩模版情况下，基区隔离浅槽侧壁和底部注入形成了第二P型掺杂区，阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，有效提升了三极管器件抗总剂量辐射的能力，降低了工艺制造成本。

本发明授权一种抗辐射加固三极管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射加固三极管器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：选取绝缘体上硅材料，选取的绝缘体上硅具有从下往上依次叠置的衬底11、埋氧化层21和顶层硅12；步骤S2：采用离子注入工艺，在顶层硅12内部注入N型杂质，形成第一N型掺杂区31；第一N型掺杂区31的注入剂量为1E14cm-2～1E16cm-2，第一N型掺杂区31的浓度高，深度很浅；步骤S3：采用外延工艺，在第一N型掺杂区31上面外延生成第二N型掺杂区32；外延第二N型掺杂区32的浓度为5E14cm-3～5E15cm-3，外延深度为4μm～7μm；第二N型掺杂区32掺杂浓度低；步骤S4：采用光刻和离子注入工艺，在第二N型掺杂区32外区域注入N型杂质，形成第三N型掺杂区33，注入N型杂质的注入剂量为1E14cm-2～1E15cm-2；第三N型掺杂区33的结深等于第二N型掺杂区32的外延深度，第三N型掺杂区33与第一N型掺杂区31相连接；步骤S5：采用光刻和离子注入工艺，在第二N型掺杂区32中心区域用第一P型掺杂区61光刻版曝光形成光刻窗口，在光刻窗口注入P型杂质，形成第一P型掺杂区61；步骤S6：采用氧化和淀积工艺，在第二N型掺杂区32、第三N型掺杂区33、第一P型掺杂区61的表面生成牺牲氧化层22，在牺牲氧化层22表面淀积氮化掩膜层41，接着在氮化掩膜层41表面淀积光刻胶42；步骤S7：采用光刻和刻蚀工艺，通过刻蚀光刻胶42、氮化掩膜层41、牺牲氧化层22和第二N型掺杂区32、第三N型掺杂区33、第一P型掺杂区61，形成相互间隔的第一隔离浅槽131、第二隔离浅槽132、第三隔离浅槽133、第四隔离浅槽134的刻蚀窗口；其中第二隔离浅槽132与第三隔离浅槽133位于第一P型掺杂区61内，第一隔离浅槽131与第四隔离浅槽134跨越第三N型掺杂区33、第二N型掺杂区32、第一P型掺杂区61；步骤S8：采用湿法去胶工艺，将氮化掩膜层41表面的光刻胶42去除；步骤S9：采用氧化工艺，在第一隔离浅槽131、第二隔离浅槽132、第三隔离浅槽133、第四隔离浅槽134表面氧化生成线性氧化层23；步骤S10：采用光刻和离子注入工艺，在位于第一P型掺杂区61内的第一隔离浅槽131、第二隔离浅槽132、第三隔离浅槽133、第四隔离浅槽134侧壁和底部注入P型杂质形成第二P型掺杂区62，第二P型掺杂区62的光刻采用的是第一P型掺杂区61的光刻版，第二P型掺杂区62位于线性氧化层23的下表面，且位于第一P型掺杂区61内；步骤S11：采用刻蚀工艺，去除光刻胶42；步骤S12：采用淀积工艺，在第一隔离浅槽131、第二隔离浅槽132、第三隔离浅槽133、第四隔离浅槽134内部填充多晶硅51；步骤S13：采用化学机械抛光工艺，研磨第一隔离浅槽131、第二隔离浅槽132、第三隔离浅槽133、第四隔离浅槽134表面填充的多晶硅51、氮化掩膜层41、牺牲氧化层22，形成平坦的硅槽表面；步骤S14：采用离子注入工艺，在第二隔离浅槽132和第三隔离浅槽133之间注入N型杂质，生成第四N型掺杂区34，在第三N型掺杂区33表面注入N型杂质生成第五N型掺杂区35；步骤S15：采用离子注入工艺，在第一隔离浅槽131和第二隔离浅槽132之间以及第三隔离浅槽133和第四隔离浅槽134之间注入P型杂质，生成第三P型掺杂区63。

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