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龙图腾网恭喜湖南大学;湖南良诚新材料科技有限公司申请的专利一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119320926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411874575.6，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用是由胡伟;江南;曹晓君;黄迪设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及日盲紫外探测器材料技术领域，具体公开了一种金刚石氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用，所述金刚石氧化镓异质结包括单晶金刚石层以及位于单晶金刚石层上的Zr掺杂ε‑Ga2O3层；单晶金刚石层为100取向的单晶金刚石，单晶金刚石的表面粗糙度RMS为2~6nm；Zr掺杂ε‑Ga2O3层为采用脉冲激光沉积法在单晶金刚石表面异质外延生长的Zr掺杂ε‑Ga2O3；Zr掺杂ε‑Ga2O3在单晶金刚石表面上沿001方向生长；Zr掺杂ε‑Ga2O3为柱状晶结构。本发明异质结实现了优异的光电探测性能，解决了传统日盲紫外探测器选择性差的问题，具有广泛的应用价值。

本发明授权一种金刚石/氧化镓异质结及在日盲紫外探测器上的应用在权利要求书中公布了：1.一种金刚石氧化镓异质结，其特征在于，所述金刚石氧化镓异质结包括单晶金刚石层以及位于单晶金刚石层上的Zr掺杂ε-Ga2O3层；所述单晶金刚石层为100取向的单晶金刚石，所述单晶金刚石的表面粗糙度RMS为2~6nm；所述Zr掺杂ε-Ga2O3层为采用脉冲激光沉积法在单晶金刚石表面异质外延生长的Zr掺杂ε-Ga2O3；所述Zr掺杂ε-Ga2O3在单晶金刚石表面上沿001方向生长；所述Zr掺杂ε-Ga2O3为柱状晶结构；所述金刚石氧化镓异质结的制备方法包括以下步骤：将单晶金刚石放入磁控溅射沉积室中，Ga2O3靶材和Zr靶材分别采用RF射频溅射模式和DC直流溅射模式，氧气分压为0.010~0.020mbar，基底温度为550~570℃，RF溅射功率设定为100~200W，DC溅射功率为10~50W，沉积时间为180~240min，沉积厚度为300~500nm。

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