恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所张胜男获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种p型氧化镓材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411775740.2，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种p型氧化镓材料及其制备方法和应用是由张胜男;孙科伟;王英民;霍晓青;周金杰;孙启升;冯景程设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种p型氧化镓材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体材料技术领域，具体公开了一种p型氧化镓材料及其制备方法和应用。本发明通过在氧化镓外延层中构建二价金属掺杂氧化镓纳米柱结构，降低空穴激活能，增加空穴浓度，成功实现了p型氧化镓材料的制备。利用本发明有效解决了通过多元素共掺的方式来实现β‑Ga2O3单晶p型掺杂时，容易出现的材料产生晶格畸变，在材料表面形成非晶层，降低材料质量，影响器件性能的问题，为氧化镓材料的制备提供了一种新的思路。
本发明授权一种p型氧化镓材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种p型氧化镓材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、在氧化镓基底上依次生长氧化镓单晶外延层和掩膜层，得预处理氧化镓材料；步骤二、在所述预处理氧化镓材料表面压印多孔状图形，然后刻蚀去除所述多孔状图形中的氧化镓单晶外延层和掩膜层，得表面多孔的氧化镓材料；步骤三、在所述表面多孔的氧化镓材料的表面孔道中生长二价金属掺杂氧化镓纳米柱，去除掩膜，得二次处理氧化镓材料；步骤四、对所述二次处理氧化镓材料进行激活处理，得p型氧化镓材料；步骤二中，所述多孔状图形的孔面积为70nm2-2000nm2，孔密度为20个mm2-100个mm2；步骤三中，所述二价金属掺杂氧化镓纳米柱中的二价金属为Mg、Zn、Cu或Fe中的任意一种；步骤三中，所述二价金属掺杂氧化镓纳米柱中金属的掺杂浓度1×1019个cm3-1×1021个cm3。
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