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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411780232.3，技术领域涉及：H01F7/00；该发明授权一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法是由王永磊;袁子雄;岳文诚;黄培源;王华兵设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法，属于人工自旋冰技术研究领域。本发明的结构通过EBL及EBE在硅片表面生长纳米磁体，纳米磁体中包含有半圆尖端和椭圆尖端两种不同形状、大小的纳米磁体，以半圆尖端的纳米磁体作为背景，将椭圆尖端的纳米磁体按一定规律排布于其中，然后通过不同大小和方向的外加磁场进行初始磁化和退磁化处理，实现了同一个样品上基态的原位切换。本发明的原位可调的人工自旋冰结构，通过外加磁场原位调控出体系的多种磁化分布状态，丰富了这种结构在未来制作异质器件中的功能性，增大了该人工自旋冰结构的应用潜力，同时在该结构中存在着丰富的物理现象，为研究阻挫现象提供了优秀的平台。

本发明授权一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种可原位调控的人工自旋冰结构，其特征在于：通过EBL及EBE在硅片表面生长纳米磁体，纳米磁体中包含有半圆尖端和椭圆尖端两种不同形状、大小的纳米磁体，以半圆尖端的纳米磁体作为背景，将椭圆尖端的纳米磁体按规律排布于其中；在以半圆尖端的纳米磁体组成的方形人工自旋冰背景中画出多个方框区域；每一行的方框区域之间紧密相连、上下对齐，各行之间错落分布；在人工自旋冰背景的水平方向上，同一行中相邻的方框区域紧密排布；在人工自旋冰背景的垂直方向上，相邻行的方框区域在水平方向错开一个晶格常数长度，竖直方向上间隔三个晶格常数长度；在每一个方框区域中，将第一行第一列、第二行第四列、第六行第一列以及第七行第三列的半圆尖端的纳米磁体换成椭圆尖端的纳米磁体。

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