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龙图腾网恭喜湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种复合多光谱发光二极管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774639.5，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种复合多光谱发光二极管结构及其制备方法是由周智斌;季辉;李超;黄仁义;周佐华设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合多光谱发光二极管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED制造技术领域，具体涉及一种复合多光谱发光二极管结构及其制备方法。该复合多光谱发光二极管结构包括依次设置的衬底材料层、缓冲层、第一导电层、量子阱结构层、第二导电层以及透明接触层，量子阱结构层包括量子阱单元，量子阱单元包括顺次设置的第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层以及第四多量子阱层，禁带宽度分别为Eg1、Eg2、Eg3和Eg4，且Eg2Eg1Eg3Eg4。通过独特的量子阱设计，实现可控的电致发光和光致发光光谱组合而成的复合多波长出光，并且光谱连续性好，解决了行业LED芯片只能出射单一波长的问题。

本发明授权一种复合多光谱发光二极管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合多光谱发光二极管结构，其特征在于，包括衬底材料层1；所述衬底材料层1上设有缓冲层2；所述缓冲层2上设有第一导电层3；所述第一导电层3上设有量子阱结构层4；所述量子阱结构层4上设有第二导电层5；所述第二导电层5上设有透明接触层6；沿衬底材料层1至透明接触层6方向，所述量子阱结构层4包括量子阱单元，所述量子阱单元包括顺次设置的第一多量子阱层4.1、第二多量子阱层4.2、第三多量子阱层4.3以及第四多量子阱层4.4，所述第一多量子阱层4.1的禁带宽度为Eg1，所述第二多量子阱层4.2的禁带宽度为Eg2，所述第三多量子阱层4.3的禁带宽度为Eg3，所述第四多量子阱层4.4的禁带宽度为Eg4，且Eg2Eg1Eg3Eg4；所述Eg2对应的出射光为500-550nm的绿光或470-500nm的蓝光；所述Eg1的出射光的出射波长为440-470nm；所述Eg3的出射光的出射波长为255-440nm，所述Eg4的出射光的出射波长为250-435nm，且Eg4与Eg3的波长差在5-30nm之间；Eg1、Eg2、Eg3、Eg4能独立自主的实现电致发光的同时，Eg3和或Eg4能实现对Eg2的光致发光。

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