恭喜北京北方华创微电子装备有限公司宋新丰获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体反应腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210895307.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体反应腔室是由宋新丰设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体反应腔室在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体反应腔室，包括工艺管、连接法兰和排气管，连接法兰设置在工艺管底部的外周壁上，用于与半导体反应腔室的工艺门密封连接；排气管包括第一排气管段，第一排气管段设置在工艺管内，并沿工艺管的内周壁的周向设置，且能够与工艺管外部的用于提供负压的负压装置连通，第一排气管段的管壁上设置有多个排气孔，多个排气孔沿第一排气管段的周向间隔设置，用于排出工艺管内的工艺气体。本发明提供的半导体反应腔室能够改善排气效果，减少泄露至连接法兰处的工艺气体，从而能够降低连接法兰锈蚀的可能性。
本发明授权半导体反应腔室在权利要求书中公布了：1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括工艺管、连接法兰和排气管，所述连接法兰设置在所述工艺管底部的外周壁上，用于与所述半导体反应腔室的工艺门密封连接；所述排气管包括设置在所述工艺管底部的第一排气管段，所述第一排气管段设置在所述工艺管内，并沿所述工艺管的内周壁的周向设置，且能够与所述工艺管外部的用于提供负压的负压装置连通，所述第一排气管段的管壁上设置有多个排气孔，多个所述排气孔沿所述第一排气管段的周向间隔设置，用于排出所述工艺管内的工艺气体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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