买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111554744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010080726.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由森隆弘设计研发完成，并于2020-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括半导体衬底，该半导体衬底包括具有第一表面和第二表面的第一外延层、第二外延层、形成为穿过第一外延层和第二外延层的掩埋区域以及栅极电极。第二外延层包括漏极区域、源极区域、体区域、漂移区域、第一区域和第二区域。第一区域至少形成在漏极区域下方。第二区域在沟道长度方向上具有第一端和第二端。第一端在沟道长度方向上位于体区域和漏极区域之间。第二区域从第一端朝向第二端延伸，使得第二端至少延伸到源极区域下方。第二区域的杂质浓度大于第一区域的杂质浓度。

本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括：第一外延层，所述第一外延层具有第一导电类型并且具有：第一表面；和与所述第一表面相对的第二表面；第二外延层，所述第二外延层具有所述第一导电类型并且被形成在所述第二表面上，所述第二外延层具有：面向所述第二表面的第三表面；以及与所述第三表面相对的第四表面；以及掩埋区域，所述掩埋区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且被形成为穿过所述第一外延层和所述第二外延层；以及栅极电极，其中，所述第二外延层包括：漏极区域，所述漏极区域具有所述第二导电类型并且被形成在所述第四表面上；源极区域，所述源极区域具有所述第二导电类型、被形成在所述第四表面上并且与所述漏极区域隔开；漂移区域，所述漂移区域具有所述第二导电类型并且被形成在所述第四表面上使得所述漂移区域包围所述漏极区域；体区域，所述体区域具有所述第一导电类型并且被形成在所述第四表面上使得所述体区域包围所述源极区域；第一区域，具有所述第一导电类型，并且形成于在从所述第三表面向所述第四表面延伸的厚度方向上比所述漂移区域更靠近所述掩埋区域的位置处；以及第二区域，具有所述第一导电类型，并且形成于在所述厚度方向上比所述第一区域更靠近所述掩埋区域的位置处，其中，所述第一区域至少形成于所述漏极区域下方，其中，所述第二区域在从所述源极区域延伸到所述漏极区域的沟道长度方向上具有第一端和与所述第一端相对的第二端，其中，所述第一端在所述沟道长度方向上位于所述体区域和所述漏极区域之间，其中，所述第二区域从所述第一端延伸到所述第二端，使得所述第二端至少到达所述源极区域下方，其中，所述第二区域的杂质浓度大于所述第一区域的杂质浓度，其中，所述栅极电极面对所述源极区域和所述漂移区域之间的所述第四表面，同时所述栅极电极被绝缘，并且其中所述体区域、所述第一区域和所述第二区域的杂质浓度大于所述第二外延层的杂质浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。