恭喜玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司C·闫获国家专利权
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龙图腾网恭喜玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司申请的专利天然氧化物穿通后的硅芯轴刻蚀获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112368808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980044826.9，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权天然氧化物穿通后的硅芯轴刻蚀是由C·闫;宋采文;羅紹安;仲華;杨晓晅设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本天然氧化物穿通后的硅芯轴刻蚀在说明书摘要公布了：提供了用于在工件上进行含硅材料去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法可包括使用感应耦合元件在第一腔室中由工艺气体生成物质。方法可包括引入含氟气体与物质以形成混合物。混合物可包括将工件的硅结构暴露于混合物以去除至少一部分的硅结构。
本发明授权天然氧化物穿通后的硅芯轴刻蚀在权利要求书中公布了：1.一种用于去除工件上设置的硅结构的方法，所述方法包括：在第一腔室中使用感应耦合元件由工艺气体生成物质；引入含氟气体与所述物质以形成混合物；将所述工件的所述硅结构暴露于所述混合物以去除至少一部分的所述硅结构；在第二腔室中使用电容耦合的等离子体源生成等离子体；将所述工件的所述硅结构暴露于电容耦合的等离子体以去除所述硅结构的顶部上的至少一部分的天然氧化物层；其中，所述第一腔室是独立的第一处理装置的部分，且所述第二腔室是独立的第二处理装置的部分；将所述工件经真空转移从所述第二腔室转移至所述第一腔室。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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