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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411977494.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层依次包括第一多量子阱层、末阱层和末垒层，第一多量子阱层包括量子阱层和量子垒层，末垒层依次包括AlInGaN层、超晶格层、AlN层、第一含硼氮化物层和第二含硼氮化物层；超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺GaN层；第一含硼氮化物层与第二含硼氮化物层为BGaN层和或BInGaN层，两者均掺杂有Mg，且其Mg掺杂浓度大于Mg掺GaN层的掺杂浓度。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述多量子阱层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一多量子阱层、末阱层和末垒层，所述第一多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替层叠形成的周期性结构，所述量子阱层、末阱层均为InGaN量子阱层，所述量子垒层为GaN量子垒层；所述末垒层包括依次层叠于末阱层上的AlInGaN层、超晶格层、AlN层、第一含硼氮化物层和第二含硼氮化物层；所述超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺GaN层；所述第一含硼氮化物层与所述第二含硼氮化物层为BGaN层和或BInGaN层，所述第一含硼氮化物层、第二含硼氮化物层中均掺杂有Mg，且其Mg掺杂浓度均大于所述Mg掺GaN层的Mg掺杂浓度。

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