英特尔公司R.库马尔获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利多版本库单元处置以及由此制作的集成电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110998841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094094.5，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权多版本库单元处置以及由此制作的集成电路结构是由R.库马尔;施全;M.T.博尔;A.W.杨;S.查克拉瓦蒂;B.A.查佩尔;M.C.韦布设计研发完成，并于2017-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本多版本库单元处置以及由此制作的集成电路结构在说明书摘要公布了：描述了多版本库单元处置和由此制作的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括沿衬底的第一方向平行并且沿与第一方向正交的第二方向具有节距的多条栅极线。单元类型的第一版本在多条栅极线的第一部分上方，单元类型的第一版本包括沿第二方向具有第二节距的第一多条互连线，第二节距小于第一节距。
本发明授权多版本库单元处置以及由此制作的集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 多条栅极线，所述多条栅极线沿衬底的第一方向平行并且沿与所述第一方向正交的第二方向具有第一节距； 单元类型的第一版本，所述单元类型的所述第一版本在所述多条栅极线的第一部分上方，所述单元类型的所述第一版本包括覆盖在所述多条栅极线上的第一多条金属1M1层互连线，所述第一多条M1互连线沿所述第二方向具有第二节距，所述第二节距小于所述第一节距；以及 所述单元类型的第二版本，所述单元类型的所述第二版本在所述多条栅极线的第二部分上方沿所述第二方向与所述单元类型的所述第一版本横向相邻，所述单元类型的所述第二版本包括覆盖在所述多条栅极线上的第二多条金属1M1层互连线，所述第二多条M1互连线沿所述第二方向具有第二节距，并且所述单元类型的所述第二版本在结构上不同于所述单元类型的所述第一版本， 其中所述单元类型的所述第二版本的所述第二多条M1互连线中的各个互连线沿所述第二方向在所述单元类型的所述第二版本的任一边缘处与沿所述第一方向的所述多条栅极线中的各个栅极线不对准。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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