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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利具有三级比较阶段的Flash-ADC电路、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119341570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411895900.7，技术领域涉及：H03M1/34；该发明授权具有三级比较阶段的Flash-ADC电路、模块是由彭春雨;靳思宇;戴成虎;吴秀龙;蔺智挺设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有三级比较阶段的Flash-ADC电路、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及模拟数字转换电路设计技术领域，具体涉及具有三级比较阶段的Flash‑ADC电路、模块。本发明提供了新设计的Flash‑ADC电路，将15个参考电压VREF1~VREF15分成三个阶段进行比较；其中，第一阶段的比较结果控制对第二阶段参考电压的选择，第一阶段、第二阶段的比较结果又控制对第三阶段参考电压的选择，从而避免了直接将15个参考电压都与输入电压进行比较，减少了电路中比较器的数量、及输出编码电路的器件的数量，也降低了进行的比较次数，进而极大降低了Flash‑ADC电路的功耗和面积。本发明解决了现有FlashADC受比较器数量的原因而导致面积、功耗偏大的问题。

本发明授权具有三级比较阶段的Flash-ADC电路、模块在权利要求书中公布了：1.具有三级比较阶段的Flash-ADC电路，其特征在于，其用于结合15个参考电压VREF1~VREF15以将输入电压VIN转化成4bit数字量；其中，VREFn=n*VREF16；n∈[1,15]；VREF∈[0,VDD]，VREF表示模拟电压，VDD表示电源电压；所述具有三级比较阶段的Flash-ADC电路包括：第一级比较电路，其包括1个轨到轨比较器C1；其中，C1用于在控制信号CLK1控制下比较VIN和VREF8以得到4bit数字量的最高位Y3；第二级比较电路，其包括1个二选一选择器M1、1个轨到轨比较器C2；其中，M1用于在Y3控制下选通VREF4或VREF12作为输出电压VC2，C2用于在控制信号CLK2控制下比较VIN和VC2以得到4bit数字量的次高位Y2；以及第三级比较电路，其包括3个四选一选择器M2~M4、3个轨到轨比较器C3~C5、1个输出编码电路；其中，M2用于在Y3、Y2共同控制下选通VREF1、VREF5、VREF9、VREF13中的某一个作为输出电压VC3，C3用于在控制信号CLK3控制下比较VIN和VC3以得到输出信号C3O；M3用于在Y3、Y2共同控制下选通VREF2、VREF6、VREF10、VREF14中的某一个作为输出电压VC4，C4用于在CLK3控制下比较VIN和VC4以得到4bit数字量的次低位Y1；M4用于在Y3、Y2共同控制下选通VREF3、VREF7、VREF11、VREF15中的某一个作为输出电压VC5，C5用于在CLK3控制下比较VIN和VC5以得到输出信号C5O；输出编码电路用于结合C3O、Y1、C3O输出4bit数字量的最低位Y0。

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