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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种高硬高导Cu-Co-Si合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119332124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884067.6，技术领域涉及：C22C1/02；该发明授权一种高硬高导Cu-Co-Si合金及其制备方法是由张利军;凌昊月;李志诚设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高硬高导Cu-Co-Si合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及合金热处理技术领域，具体涉及一种高硬高导Cu‑Co‑Si合金及其制备方法。该合金由该制备方法制备得到。该制备方法包括将所需质量百分比的合金原料成分熔炼制备得到Cu‑Co‑Si合金；将所制备的Cu‑Co‑Si合金进行固溶处理；将所述固溶处理后的Cu‑Co‑Si合金进行时效处理；将所述时效处理后的Cu‑Co‑Si合金进行后处理得到目标产品。本发明能够制备出高硬高导综合性能优异的Cu‑Co‑Si合金，极具应用价值。

本发明授权一种高硬高导Cu-Co-Si合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高硬高导Cu-Co-Si合金的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1、将所需质量百分比的合金原料成分熔炼制备得到Cu-Co-Si合金；步骤S2、将所制备的Cu-Co-Si合金进行固溶处理；步骤S3、将所述固溶处理后的Cu-Co-Si合金进行时效处理；步骤S4、将所述时效处理后的Cu-Co-Si合金进行后处理得到目标产品；所需质量百分比的合金原料成分包括Co含量为1.0％～3.0％、Si含量≤0.8％、Mg含量≤0.02％、P含量≤0.05％、Cr含量≤0.05％、O含量≤0.02％、杂质含量≤0.05％和余量Cu；在熔炼时，先加入Co进行第一次熔炼以形成第一熔炼体系，熔炼时间为40-50min；向所述第一熔炼体系中加入Cu进行第二次熔炼以形成第二熔炼体系，熔炼时间为5-10min；向所述第二熔炼体系中加入Si和剩余的合金原料成分进行第三次熔炼以形成第三熔炼体系，熔炼时间为25-40min；所述第一次熔炼、所述第二次熔炼和所述第三次熔炼的温度均为2300-2500℃；所述第一次熔炼、所述第二次熔炼和所述第三次熔炼均为感应熔炼。

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