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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种用于ESD保护的可调式SCR器件及其连接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833661.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于ESD保护的可调式SCR器件及其连接方法是由马超;齐钊;贾义睿;陈泓全;乔明;张波设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于ESD保护的可调式SCR器件及其连接方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种用于ESD保护的可调式SCR器件及其连接方法，属于电子科技与技术领域。所述器件包括：P型衬底，绝缘层，第一多晶硅栅区，第二多晶硅栅区，N型阱区，P型阱区，第一N+区，第一P+区，第二N+区，第二P+区，第一N型沟道区，P型沟道区，第二N型沟道区。在上述结构中，第一N+区和第一P+区通过导线互联形成器件的阳极，第二N+区和第二P+区通过导线互联形成器件的阴极。本发明在不增加器件面积的基础上，通过对传统SCR器件结构的改进，引入了NPN超结型沟道与多晶硅侧栅，增加了超结结构的NPN型符合沟道区域，由此可以实现SCR器件的可调节的电流分布与参数特性。

本发明授权一种用于ESD保护的可调式SCR器件及其连接方法在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD保护的可调式SCR器件，其特征在于，该器件包括：P型衬底（101），绝缘层（102），第一多晶硅栅区（103），第二多晶硅栅区（104），N型阱区（105），P型阱区（106），第一N+区（107），第一P+区（108），第二N+区（109），第二P+区（110），第一N型沟道区（111），P型沟道区（112），第二N型沟道区（113）；第一N+区（107）和第一P+区（108）通过导线互联形成器件的阳极，第二N+区（109）和第二P+区（110）通过导线互联形成器件的阴极；绝缘层（102）位于P型衬底（101）的内部，绝缘层（102）下边缘高于P型衬底（101）的下边缘，绝缘层（102）上边缘低于P型衬底（101）的上边缘；N型阱区（105）和P型阱区（106）位于P型衬底（101）的内部，且位于绝缘层（102）的上方，N型阱区（105）下边缘和P型阱区（106）下边缘分别与绝缘层（102）的上边缘相切，N型阱区（105）上边缘和P型阱区（106）上边缘分别与P型衬底（101）的上边缘相切；其中，N型阱区（105）的相对位置在P型阱区（106）的左侧，N型阱区（105）的右边缘与P型阱区（106）的左边缘相距10um至50um；第一N+区（107）和第一P+区（108）位于N型阱区（105）的内部，第一N+区（107）上边缘和第一P+区（108）上边缘均与N型阱区（105）上边缘相切，第一N+区（107）下边缘和第一P+区（108）下边缘均高于N型阱区（105）下边缘；其中，第一N+区（107）的相对位置在第一P+区（108）的左侧，第一N+区（107）的右边缘与第一P+区（108）的左边缘间隔2um至5um；第二N+区（109）和第二P+区（110）位于P型阱区（106）的内部，第二N+区（109）上边缘和第二P+区（110）上边缘均与P型阱区（106）上边缘相切，第二N+区（109）下边缘和第二P+区（110）下边缘均高于P型阱区（106）下边缘；其中，第二N+区（109）的相对位置在第二P+区（110）的左侧，第二N+区（109）的右边缘与第二P+区（110）的左边缘间隔2um至5um；第一多晶硅栅区（103）和第二多晶硅栅区（104）位于P型衬底（101）的内部，且位于N型阱区（105）和P型阱区（106）的中间，第一多晶硅栅区（103）左边缘和第二多晶硅栅区（104）左边缘分别与N型阱区（105）的右边缘相切，第一多晶硅栅区（103）右边缘和第二多晶硅栅区（104）右边缘均与P型阱区（106）的左边缘相切，第一多晶硅栅区（103）的上边缘和第二多晶硅栅区（104）的上边缘均与P型衬底（101）的上边缘相切，第一多晶硅栅区（103）的下边缘和第二多晶硅栅区（104）的下边缘均与绝缘层（102）的上边缘相切；第一多晶硅栅区（103）的相对位置在第二多晶硅栅区（104）的前面，两者之间相距5um至30um；第一N型沟道区（111），P型沟道区（112）和第二N型沟道区（113）在P型衬底（101）的内部，且位于第一多晶硅栅区（103）和第二多晶硅栅区（104）的中间；第一N型沟道区（111），P型沟道区（112）和第二N型沟道区（113）从前往后的相对位置依次是第一N型沟道区（111），P型沟道区（112）和第二N型沟道区（113）；第一N型沟道区（111）的左边缘、P型沟道区（112）的左边缘和第二N型沟道区（113）的左边缘分别与N型阱区（105）的右边缘相切，第一N型沟道区（111）的右边缘、P型沟道区（112）的右边缘和第二N型沟道区（113）的右边缘均与P型阱区（106）的左边缘相切，第一N型沟道区（111）的上边缘、P型沟道区（112）的上边缘和第二N型沟道区（113）的上边缘与P型衬底（101）的上边缘相切，第一N型沟道区（111）的下边缘、P型沟道区（112）的下边缘和第二N型沟道区（113）的下边缘均与绝缘层（102）的上边缘相切；第一多晶硅栅区（103）和第二多晶硅栅区（104）为器件的栅极；第一多晶硅栅区（103）为Gate1，第二多晶硅栅区（104）为Gate2。

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