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龙图腾网恭喜中茵微电子(南京)有限公司申请的专利一种针对高速高性能3DIC的layout评估优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119227619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411755194.6，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种针对高速高性能3DIC的layout评估优化方法是由谢堃;王洪鹏设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对高速高性能3DIC的layout评估优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对高速高性能3DIC的layout评估优化方法，涉及电数据处理技术领域，包括以下步骤：获取3DIC的布局版图；根据所述3DIC的布局版图，获取版图位置数据；根据所述版图位置数据，对3DIC的布局进行设计规则检查；根据检查结果，对所述3DIC的布局进行调整；其中，所述版图位置数据包括TSV的位置数据、电子器件的位置数据和标记模块的位置数据。本发明通过获取3DIC的布局版图，从布局版图中获取重要器件和模块的位置数据并根据版图位置数据对布局进行检查，得到需要进行评估优化的布局结构，进而及时对3DIC的布局进行调整，提高了3DIC的布局质量和性能。

本发明授权一种针对高速高性能3DIC的layout评估优化方法在权利要求书中公布了：1.一种针对高速高性能3DIC的layout评估优化方法，其特征在于，包括以下步骤：获取3DIC的布局版图；根据所述3DIC的布局版图，获取版图位置数据；根据所述版图位置数据，对3DIC的布局进行设计规则检查；根据检查结果，对所述3DIC的布局进行调整；其中，所述版图位置数据包括TSV的位置数据、电子器件的位置数据和标记模块的位置数据；所述根据所述版图位置数据，对3DIC的布局进行设计规则检查，包括以下步骤：根据所述TSV的位置数据，对TSV进行应力检查；根据所述TSV的位置数据和所述电子器件的位置数据，对电子器件进行间距检查；根据所述TSV的位置数据和所述标记模块的位置数据，对标记模块进行间距检查；其中，所述电子器件包括电感器件和电容器件；所述根据所述TSV的位置数据，对TSV进行应力检查，包括以下步骤：根据所述TSV的位置数据，获取TSV的面积、TSV的数量和TSV的间距；根据所述TSV的面积、所述TSV的数量和所述TSV的间距，计算应力评估参数；当所述应力评估参数小于评估阈值时，提示应力异常；其中，所述应力评估参数的计算公式如下： ，其中，为应力评估参数，为TSV的数量，为TSV的面积，为3DIC的面积，为TSV的间距。

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