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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411756931.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。Micro‑LED外延片依次包括衬底、N型GaN层、第一多量子阱层和P型GaN层，第一多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和第一量子垒层；量子阱层包括依次层叠的第一GaN层、第一InGaN层、InxGa1‑xN层和AlN层；第一量子垒层包括依次层叠的第一AlGaN层、N型AlαGa1‑αN层、非掺杂AlaGa1‑aN层、N型AlβGa1‑βN层和第二GaN层；第一InGaN层中In组分占比呈递增变化，且其最大值≤x；第一AlGaN层中Al组分呈递减变化，且其最小值≥α。实施本发明，可提升发光效率。

本发明授权Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的N型GaN层、第一多量子阱层和P型GaN层，所述第一多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和第一量子垒层；所述量子阱层包括依次层叠的第一GaN层、第一InGaN层、InxGa1-xN层和AlN层；所述第一量子垒层包括依次层叠的第一AlGaN层、N型AlαGa1-αN层、非掺杂AlaGa1-aN层、N型AlβGa1-βN层和第二GaN层；所述第一InGaN层中In组分占比由靠近所述第一GaN层一侧至靠近所述InxGa1-xN层一侧呈递增变化，且所述第一InGaN层中In组分占比的最大值小于等于所述InxGa1-xN层中In组分占比；所述第一AlGaN层中Al组分占比由靠近所述量子阱层一侧至靠近所述N型AlαGa1-αN层一侧呈递减变化，且所述第一AlGaN层中Al组分占比的最小值大于等于所述N型AlαGa1-αN层中Al组分占比。

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