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恭喜天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司曹慧钦获国家专利权

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龙图腾网恭喜天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司申请的专利一种含Zr的钕铁硼磁体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119170369B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411689207.4,技术领域涉及:H01F1/057;该发明授权一种含Zr的钕铁硼磁体及其制备方法和应用是由曹慧钦;李志学;李大军;韩雪设计研发完成,并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种含Zr的钕铁硼磁体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明创造涉及钕铁硼磁体技术领域,尤其涉及了一种含Zr的钕铁硼磁体及其制备方法和应用,所述含Zr的钕铁硼磁体包括主相晶粒和晶界相,所述主相晶粒的成分为R2Fe14B;所述晶界相中分布有ZrC颗粒;所述晶界相包括二粒薄层晶界相和三角晶界相,所述二粒薄层晶界相位于任意两个主相晶粒之间,所述三角晶界相位于任意三个及以上主相晶粒之间;通过在磁体中加入强碳化物形成元素Zr,在烧结过程中,Zr与溶解在富Nd相中的C反应,大量的ZrC颗粒存在于三角晶界相中,从而使溶解在富Nd相中的C含量降低,提高磁体的矫顽力,同时少量的ZrC颗粒在二粒薄层晶界相中生成,可以阻碍主相晶粒的长大,进一步提高磁力的矫顽力。

本发明授权一种含Zr的钕铁硼磁体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种含Zr的钕铁硼磁体,包括主相晶粒和晶界相,其特征在于,所述晶界相中分布有ZrC颗粒;所述主相晶粒的成分为R2Fe14B;所述晶界相包括二粒薄层晶界相和三角晶界相,其中,所述二粒薄层晶界相位于任意两个主相晶粒之间,所述三角晶界相位于任意三个及以上主相晶粒之间;在任一能观测出ZrC颗粒的范围内,三角晶界相的总面积记为S,含有ZrC颗粒的三角晶界相的面积记为S1,其中,0.3≤S1S≤0.8;所述含Zr的钕铁硼磁体的制备方法,包括如下工艺过程:速凝→氢爆→气流磨→混料→压制→烧结→多级时效处理,所述烧结工艺为:将生坯升温至250-350℃,保温0.5-3.5h;再升温至900-1000℃,保温5-10h;再降温至750-850℃,保温2-4h;最后升温至1000-1080℃烧结1-6h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司,其通讯地址为:300457 天津市滨海新区天津经济技术开发区洪泽路22号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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