复旦大学宁波研究院张俊然获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉复旦大学宁波研究院申请的专利一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118655163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410880649.0，技术领域涉及：G01N23/207；该发明授权一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法是由张俊然;雷光寅;朱德彪;马宏平;刘盼;张清纯设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽24.35×b2×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
本发明授权一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，其特征在于，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；所述待测碳化硅样品为六方晶系碳化硅衬底材料；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝待测碳化硅样品半高宽-标准样品半高宽24.35×b2×10-4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学宁波研究院，其通讯地址为：315327 浙江省宁波市杭州湾新区滨海二路1188号科创中心大楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号