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龙图腾网恭喜内蒙古大全半导体有限公司申请的专利一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117976519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410131998.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺是由张泽玉;于跃;马英英;杨亮;陈欢欢;吕宏博设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺在说明书摘要公布了：本发明为一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺。一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺，包括：1将硅块在1号槽中，采用高纯水冲洗；2硅块在含有氢氟酸、盐酸的混合溶液的2号槽中进行轻刻蚀；3硅块在3号槽中，采用高纯水冲洗；4硅块在4号槽中，采用洁净惰性气体除水；5硅块在含有盐酸溶液的5号槽中酸洗；6硅块在6号槽中，采用高纯水冲洗；7将硅块依次通过7、8号槽，采用高纯水进行喷淋式冲洗；8硅块在9号槽中采用高纯水冲洗；9将硅块在10号槽中采用洁净惰性气体除水。本发明所述的一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺，将多晶硅表面金属杂质指标控制在国家电子多晶硅表金属杂质的最低要求的同时，降低成本。

本发明授权一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺在权利要求书中公布了：1.一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：1将硅块在1号槽中，采用高纯水进行冲洗；所述的硅块无尖峰、无裂纹，尺寸在25mm-100mm；2将所述的步骤1处理后的硅块在含有氢氟酸、盐酸的混合溶液的2号槽中进行轻刻蚀；所述的2号槽中49wt％氢氟酸、36wt％盐酸和水的体积比为1:1:50-55；3将所述的步骤2处理后的硅块在3号槽中，采用高纯水进行冲洗；4将所述的步骤3处理后的硅块在4号槽中，采用洁净惰性气体除水；5将所述的步骤4处理后的硅块在含有盐酸溶液的5号槽中，进行酸洗；所述的盐酸溶液中36wt％盐酸和水的体积比为1:50-55；6将所述的步骤5处理后的硅块在6号槽中，采用高纯水进行冲洗；7将所述的步骤6处理后的硅块依次通过7、8号槽，采用高纯水进行喷淋式冲洗；8将所述的步骤7处理后的硅块在9号槽中，采用高纯水进行冲洗；9将所述的步骤8处理后的硅块在10号槽中，采用洁净惰性气体除水。

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