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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利CMOS图像传感器及形成图像传感器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490255B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911223247.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS图像传感器及形成图像传感器的方法是由高桥诚司;王铨中;杨敦年;施俊吉;黄益民设计研发完成，并于2019-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMOS图像传感器及形成图像传感器的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CMOS图像传感器和一种相关的形成方法，CMOS图像传感器具有将光电二极管与像素装置分离的掺杂隔离结构。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有将光电二极管与像素装置分离的掺杂隔离结构。光电二极管远离衬底的前侧布置在衬底内。像素装置安置于上覆光电二极管的衬底的前侧处且通过掺杂隔离结构与光电二极管分离。相较于其中光电二极管的上部部分通常布置在衬底的前侧的顶面处的先前图像传感器设计，现在光电二极管布置成远离顶面且为像素装置留出更多空间。因此，较大像素装置可布置在感测像素中，且可改进较短沟道效应和噪声级。

本发明授权CMOS图像传感器及形成图像传感器的方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括： 衬底，具有第一掺杂类型且具有前侧以及与所述前侧相对的背侧； 光电二极管掺杂区，具有与所述第一掺杂类型相对的第二掺杂类型且安置于所述衬底内； 垂直转移栅极电极，从所述衬底的所述前侧垂直地延伸到所述衬底内的第一位置且通过栅极介电质与所述衬底分离； 掺杂垂直隔离区，沿着所述垂直转移栅极电极垂直延伸； 连续掺杂的掺杂横向隔离区，安置于所述光电二极管掺杂区上，与所述掺杂垂直隔离区直接接触，并且沿着与所述垂直转移栅极电极横向相反的方向延伸； 像素装置阱，安置于所述掺杂横向隔离区上，其中所述像素装置阱的掺杂浓度小于所述掺杂垂直隔离区的掺杂浓度；以及 像素装置，安置于所述衬底的所述前侧处的所述像素装置阱上，所述像素装置包括安置于所述衬底上方的栅极电极以及安置于所述衬底内的一对源极漏极SD区。

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