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龙图腾网恭喜无锡明祥电子有限公司申请的专利大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222638980U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420156962.5，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件是由侯士保设计研发完成，并于2024-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件，包括：重掺杂的第一导电类型衬底；在第一导电类型衬底背面设有重掺杂的第二导电类型集电区，在第二导电类型集电区背面设有集电极金属；在第一导电类型衬底正面设有第一导电类型缓冲层；在第一导电类型缓冲层上设有轻掺杂的第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中的顶部设有栅极沟槽、轻掺杂的第二导电类型体区和分压环；其中，栅极沟槽和第二导电类型体区位于器件的有源区，分压环位于器件的终端保护区；多个栅极沟槽并行设置，在多个并行的栅极沟槽的两侧分别设有一个第二导电类型体区；分压环的数量为至少一个；本实用新型具有反向击穿电压高、正向电流能力大等优点。

本实用新型大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种大电流沟槽栅场截止IGBT功率器件，其特征在于，包括：重掺杂的第一导电类型衬底1；在第一导电类型衬底1背面设有重掺杂的第二导电类型集电区2，在第二导电类型集电区2背面设有集电极金属3；在第一导电类型衬底1正面设有第一导电类型缓冲层4；在第一导电类型缓冲层4上设有轻掺杂的第一导电类型外延层5；在第一导电类型外延层5中的顶部设有栅极沟槽6、轻掺杂的第二导电类型体区7和分压环8；其中，栅极沟槽6和第二导电类型体区7位于器件的有源区，分压环8位于器件的终端保护区；多个栅极沟槽6并行设置，在多个并行的栅极沟槽6的两侧分别设有一个第二导电类型体区7；分压环8的数量为至少一个；所述栅极沟槽6的内壁设有栅氧层61，并在栅极沟槽6中填充有栅极多晶硅62；在所述第二导电类型体区7中的顶部并行设有重掺杂的第二导电类型发射区91和重掺杂的第一导电类型栅区92；第二导电类型发射区91位于第一导电类型栅区92的外侧；所述第一导电类型外延层5表面设有第一绝缘层10，第一绝缘层10上面设有厚氧化层11；在厚氧化层11上方依次设有掺杂多晶硅层12和层间绝缘层13；在层间绝缘层13上设有发射极金属14；在有源区，多个并行设置的栅极沟槽6上方的厚氧化层11、掺杂多晶硅层12和层间绝缘层13中设有开口，并在所述开口中设置栅极金属15；所述栅极金属15通过栅极接触孔电连接栅极沟槽6中的栅极多晶硅62和第二导电类型体区7中的第一导电类型栅区92；所述发射极金属14通过发射极接触孔电连接第二导电类型体区7中的第二导电类型发射区91。

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