恭喜江苏卓胜微电子股份有限公司张旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏卓胜微电子股份有限公司申请的专利半导体器件、射频芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410039280.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体器件、射频芯片及电子设备是由张旭设计研发完成，并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、射频芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件、射频芯片及电子设备，属于半导体技术领域。半导体器件包括具有顶硅层的绝缘体上硅衬底、位于顶硅层上表面的栅极走线、多个第一接触孔、多个第二接触孔、第一金属件和第二金属件；其中，相邻的第一接触孔和第二接触孔之间的间距大于目标距离，目标距离为第一接触孔和第二接触孔分别位于所处区域中部，且沿第二方向正对的情况下的间距，第二方向与第一方向垂直；和或第一金属件和第二金属件的相对的两边平行，且至少一个接触孔与相对的两边之一平齐。通过增大相邻的接触孔之间的间距，可以减小接触孔之间以及接触孔与栅极走线之间的寄生电容，提高器件性能。
本发明授权半导体器件、射频芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底，具有顶硅层；栅极走线，形成于所述顶硅层的上表面，且在所述顶硅层的所述上表面限定出分隔的第一区域和第二区域；多个第一接触孔，形成于所述顶硅层的所述上表面的所述第一区域内，且沿第一方向布置；多个第二接触孔，形成于所述顶硅层的所述上表面的所述第二区域内，且沿所述第一方向布置；第一金属件，与所述多个第一接触孔连接；第二金属件，与所述多个第二接触孔连接；所述第一金属件和所述第二金属件的相对的两边平行，且至少一个所述第一接触孔与所述第一金属件朝向所述第二金属件的一边平齐或者至少一个所述第二接触孔与所述第二金属件朝向所述第一金属件的一边平齐。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏卓胜微电子股份有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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