恭喜河北同光半导体股份有限公司高彦静获国家专利权
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龙图腾网恭喜河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117711913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311690181.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法是由高彦静;郑向光;汤欢;崔景光;吕敬文设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法。本发明将预清洗方法提前至碳化硅衬底工序后，首先采用纯水超声清洗去除碳化硅衬底表面附着的大颗粒研磨液，然后于氢氟酸硫酸混合酸溶液中进行多频段超声清洗，有效去除微小管道中堆积的杂质，最后于碳酸氢钠水溶液中浸泡去除碳化硅衬底表面的油污，从而实现了碳化硅衬底表面，尤其是2微米以下管道缺陷中的杂质的有效去除，进而有效提高了碳化硅衬底漏点的充分检出，降低了漏液衬底加工成本的浪费，提高了碳化硅衬底的生产效率，对于提高外延器件的合格率具有重要意义，具有较高的推广应用价值。
本发明授权一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法，其特征在于，于碳化硅衬底切割研磨工序后进行预清洗，所述预清洗方法包括以下步骤：S1，将碳化硅研磨片于纯水中超声清洗，擦拭表面，得碳化硅衬底Ι；S2，将所述碳化硅衬底Ι于氢氟酸和硫酸的混合酸溶液中进行多频段超声清洗，鼓泡水洗，得碳化硅衬底Ⅱ；所述氢氟酸与硫酸的体积比为4:1～1:1，其中，所述氢氟酸的质量浓度为40％～55％，硫酸的浓度为95％～98％；S3，将所述碳化硅衬底Ⅱ放入碳酸氢钠水溶液中，浸泡，鼓泡水洗，干燥，得洁净碳化硅衬底。
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