恭喜中国科学院上海光学精密机械研究所赵苗获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利光存储介质及基于该介质的超分辨信息读写方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117831587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311672209.8，技术领域涉及：G11C11/42；该发明授权光存储介质及基于该介质的超分辨信息读写方法和装置是由赵苗;阮昊;文静;胡巧设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本光存储介质及基于该介质的超分辨信息读写方法和装置在说明书摘要公布了：光存储介质及基于该介质的超分辨信息读写方法和装置。光存储介质，各组分占材料的摩尔量计：光引发剂为0.1％～5％，聚集诱导发光染料为0.1％～5％，金属离子化合物0.1％～5％，单体为85％～99.7％。信息写入方法包括：利用波长λ1实心光束照射在光存储介质上，使照射区域产生荧光强度增强；利用波长λ2空心光束照射在实心光束照射区域的周围区域，使周围区域抑制荧光强度；利用照射区域与周围区域的荧光对比度记录信息，形成尺寸小于衍射极限的信息记录点。本发明超分辨写入和基于受激辐射损耗显微技术的超分辨读出，解决了传统读写方法不能突破衍射极限、材料透过率低、三维记录层数受限等问题，极大提升光存储密度和容量。
本发明授权光存储介质及基于该介质的超分辨信息读写方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种光存储介质，其组分包括光引发剂、单体、金属离子化合物和聚集诱导发光染料，其中各组分占材料的摩尔量计如下：光引发剂为0.1％～5％，聚集诱导发光染料为0.1％～5％，金属离子化合物0.1％～5％，单体为85％～99.7％；所述金属离子化合物包括含有Li+离子、Zn2+离子、Yb3+离子、Zr4+离子或Mg2+离子的一种或多种易溶于有机溶剂的化合物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区清河路390号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号