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龙图腾网恭喜天津航天长征火箭制造有限公司申请的专利一种热处理变形后锥底分段式贴膜精旋方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117600307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311499113.6，技术领域涉及：B21D22/14；该发明授权一种热处理变形后锥底分段式贴膜精旋方法是由胡德友;王贺;杜岩峰;刘凤财;刘宪力;陶现宾;杨程;渠福泉;赵彦广;孟旭;陈乐乐;谷春杰;胡顺玺;李锐;党伟伟;王今朝;李奎;吴家宣;于化龙;李林桦;樊金勇设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种热处理变形后锥底分段式贴膜精旋方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种热处理变形后锥底分段式贴膜精旋方法，包括以下步骤：精旋前装配；测绘拟合；一次精旋轨迹；二次精旋轨迹；形性评估。本发明有益效果：本方法能够有效避免产品因淬火变形带来的报废问题；提供了解决大型旋压锥底热处理变形的控制方法；采用淬火淬火精旋+时效，实现形性协调提升，确保产品质量。

本发明授权一种热处理变形后锥底分段式贴膜精旋方法在权利要求书中公布了：1.一种热处理变形后锥底分段式贴膜精旋方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、精旋前装配；S2、测绘拟合；S3、一次精旋轨迹；S4、二次精旋轨迹；S5、形性评估；在步骤S2中，测绘拟合，包括：通过环向跳动选取淬火后锥底最高点和最低点母线；沿母线方向以100-150mm等间距进行外表面坐标点录模，设置塞尺间隙为1-3mm，同时通过测厚仪测量型面厚度，进行坐标线性拟合；在步骤S3中，一次精旋轨迹，包括：一次精旋轨迹采用从小端到大端整体校形方式进行；根据锥底厚度和外表面坐标拟合内型面距离旋压胎外表面的间距为d间距；一次精旋轨迹为初始段变形量较大，腰部区域处于贴膜状态变形量较小；大端区域为校形重点位置，施加较大下压量使锥底产生大端塑性变形，故d下压=d间距*（1.1~1.2），大端取下压量较大值；在步骤S4中，二次精旋轨迹，包括：采用从小端到大端整体局部校形，根据产品厚度和外表面坐标拟合产品形貌；二次精旋轨迹为初始段变形量较大，逐步往等厚截面过渡，即d下压=d间距*（1~1.2）；小端区域在起旋初始位置采用1.2d间距，选取截面等厚区为最后离模段。

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