恭喜中国科学院上海光学精密机械研究所邵宇川获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种提高大尺寸钙钛矿晶体表面性能的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115896955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211504984.8，技术领域涉及：C30B33/10；该发明授权一种提高大尺寸钙钛矿晶体表面性能的抛光方法是由邵宇川;王虎;张雯清;王致远设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高大尺寸钙钛矿晶体表面性能的抛光方法在说明书摘要公布了：提供了一种提高钙钛矿单晶表面性能的抛光方法，包括使用新型的抛光液对晶体上下表面进行抛光的同时实现化学钝化。本发明利用化学抛光液在机械抛光钙钛矿单晶表面的同时，钝化表面，达到降低表面粗糙度，减少表面缺陷，提高晶体透过率和电学稳定性的效果。抛光后的晶体表面粗糙度和缺陷明显降低，透过率和电学稳定性有明显提高，因此，本发明提出的改进方法是一种可行的提高晶体表面性能的手段。
本发明授权一种提高大尺寸钙钛矿晶体表面性能的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种提高钙钛矿单晶表面性能的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、利用砂纸将待抛光钙钛矿晶体3的上下表面进行打磨，使上下表面平行度公差小于0.5mm；步骤二、制备抛光液2，配制体积比为4：1环己烷：叔戊醇的混合溶剂，并加入PEABr和CeO2粉末配制而成抛光液；步骤三、将待钙钛矿抛光晶体3放置在抛光装置平台1上，并利用抛光液进行抛光，使抛光液在待抛光钙钛矿晶体3表面发生钝化反应，在降低表面缺陷密度的同时，提高晶体的电学稳定性；所述待抛光钙钛矿晶体3为MAPbBr3、CsPbBr3或FAPbBr3。
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