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龙图腾网恭喜重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211455579.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源是由于奇;彭尹蕊;柳勇;李靖;吴克军;宁宁设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源，属于基准源技术领域。该基准源电路中的电路元件全部采用MOS管，其中使用了工作在深线性区的NMOS管取代了传统电流基准源电路中的电阻，同时令PMOS管的尺寸均一致。本发明具有结构简单、五启动电路、温度系数小、功耗低等优点。

本发明授权一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源在权利要求书中公布了：1.一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源，其特征在于：包括PMOS管MP1～MP5，和NMOS管MN1～MN6；PMOS管MP1的源极连接电源，其漏极分别与NMOS管MN3的漏极和栅极以及MN4的栅极连接，MP1的栅极分别与PMOS管MP2的漏极、MP5的栅极以及NMOS管MN1的漏极连接；NMOS管MN3的源极分别与MN1的源极和MN4的漏极连接；NMOS管MN4的源极接地；PMOS管MP2的源极连接电源，其栅极分别与MP3的栅极和MP5的栅极连接；PMOS管MP3的源极连接电源，其漏极分别与NMOS管MN1的栅极以及MN2的栅极和漏极连接；NMOS管MN2的源极分别与MN5的源极和MN6的漏极连接；PMOS管MP4的源极连接电源，其栅极与MP5的栅极连接，MP4的漏极分别与NMOS管MN5的漏极和栅极以及MN6的栅极连接；NMOS管MN6的源极接地；PMOS管MP5的源极连接电源，其漏极作为基准电流源的输出端；PMOS管MP2和MP3构成电流镜结构，比值为1：1；NMOS管MN1和MN2构成电流镜结构，比值为2：1；该自偏置电流基准源输出的基准电流表示为： 式中，μn表示NMOS管的电子迁移率，与温度呈负相关，Cox表示单位面积的栅氧电容，UT表示热电压，与温度呈正相关；SN1～SN6分别表示NMOS管MN1～MN6的宽长比；因此通过调节NMOS管的尺寸来调节输出的基准电流大小。

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