恭喜湖南大学段曦东获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利大尺寸无晶界CsPbCl3(1–x)Br3x单晶薄膜及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115679446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211267644.8，技术领域涉及：C30B29/12；该发明授权大尺寸无晶界CsPbCl3(1–x)Br3x单晶薄膜及其制备和应用是由段曦东;林晓慧设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本大尺寸无晶界CsPbCl3(1–x)Br3x单晶薄膜及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明属于材料领域，具体涉及一种大尺寸无晶界CsPbCl31–xBr3x单晶薄膜，为平面尺寸大于或等于0.8cm2的无晶界CsPbCl31–xBr3x单晶薄膜，其中，所述的0x1。本发明还提供了所述的材料的制备方法和应用，本发明首次成功制备了大单晶CsPbCl31–xBr3x复合相材料，且发现所述的材料具有更优的光电材料应用前景和性能。
本发明授权大尺寸无晶界CsPbCl3(1–x)Br3x单晶薄膜及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸无晶界CsPbCl31–xBr3x单晶薄膜的制备方法，其特征在于，按化学计量比将Cs源和Pb源混合后在T1的温度下保温热处理，得到CsPbCl31–xBr3x复合材料；随后将制得的CsPbCl31–xBr3x复合材料在载气以及负压下加热至T2后并在T3的温度下沉积在基底上，制备所述的大尺寸无晶界CsPbCl31–xBr3x单晶薄膜；所述的Cs源包括摩尔比为1-x:x的CsCl和CsBr；所述的Pb源包括摩尔比为1-x:x的PbCl2和PbBr2；x小于0.5时，所述的T1的温度为380~405℃；T2的温度为600~625℃；T3的温度为370~385℃；0.5≤x1时，所述的T1的温度为340~365℃；T2的温度为550~575℃；T3的温度为335~355℃。
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