恭喜武汉理工大学鲁建峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉理工大学申请的专利一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211126867.2，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜及其制备方法和应用是由鲁建峰;张玉玺设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：将自由基引发剂和稳定剂依次加入到第一有机半导体溶液中，混合均匀，得到第二有机半导体溶液；其中，第一有机半导体溶液是p型有机半导体溶解在氯代有机溶剂中得到的；将第二有机半导体溶液涂布在基底上，干燥成膜，得到基于自由基p型掺杂的有机半导体薄膜。本发明掺杂过程简捷、易于操作，制备了具有理想电性能并且稳定的有机半导体薄膜，电导率提高了四个数量级；并且改变了有机半导体的能带位置，电荷传输能力显著提升；本发明所得有机半导体薄膜能够用于制备钙钛矿太阳能电池，显著提升器件的光电转换效率和长期稳定性。
本发明授权一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将自由基引发剂和稳定剂依次加入到第一有机半导体溶液中，混合均匀，得到第二有机半导体溶液；其中，第一有机半导体溶液是p型有机半导体溶解在氯代有机溶剂中得到的；将第二有机半导体溶液涂布在基底上，干燥成膜，得到基于自由基p型掺杂有机半导体薄膜；所述自由基引发剂为过氧化苯甲酰或偶氮二异丁腈；所述稳定剂包括相对p型有机半导体的添加量为30～90mol%的四丁基铵双三氟甲磺酰亚胺或10～60mol%的丁基-3-甲基咪唑盐，所述丁基-3-甲基咪唑盐为1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐或1-丁基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐。
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