深圳天狼芯半导体有限公司吴龙江获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利HEMT半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115513056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211131297.6,技术领域涉及:H10D30/01;该发明授权HEMT半导体器件的制备方法是由吴龙江设计研发完成,并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了:本申请涉及一种HEMT半导体器件的制备方法,包括:依次沉积半导体衬底、沟道层、势垒层和P型盖帽层;刻蚀P型盖帽层并在第二功能区内构造若干子功率开关;在子功率开关与第一功能区和或第三功能区之间的沟道层和势垒层内刻蚀出若干隔离槽,并向隔离槽内填充隔离材料,以形成隔离层;在第一功能区和或第三功能区内构造若干二极管;在第一功能区和第三功能区的上方构造源极焊垫层、漏极焊垫层和栅极焊垫层。通过在HEMT半导体器件内集成二极管并使二极管与对应子功率开关反向并联,使得当高电压施加到HEMT半导体器件后,二极管先一步被击穿,从而保护HEMT半导体器件中的子功率开关。
本发明授权HEMT半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种HEMT半导体器件的制备方法,其特征在于,包括:依次沉积半导体衬底、沟道层、势垒层和P型盖帽层,并将所述沟道层、所述势垒层和所述P型盖帽层划分为第一功能区、第二功能区和第三功能区;所述第一功能区、所述第二功能区和所述第三功能区互不重叠;刻蚀所述P型盖帽层并在所述第二功能区内构造若干子功率开关;在所述子功率开关与所述第一功能区和或所述第三功能区之间的所述沟道层和所述势垒层内刻蚀出若干隔离槽,并向所述隔离槽内填充隔离材料,以形成隔离层;在所述第一功能区和或所述第三功能区内构造若干二极管;其中,至少一个所述二极管的阳极与对应的所述子功率开关的源极连接,至少一个所述二极管的阴极与对应的所述子功率开关的漏极连接;在所述第一功能区和所述第三功能区的上方构造源极焊垫层、漏极焊垫层和栅极焊垫层;各个所述子功率开关的源极均与所述源极焊垫层连接,各个所述子功率开关的漏极均与所述漏极焊垫层连接,各个所述子功率开关的栅极均与所述栅极焊垫层连接;所述在所述第二功能区内构造若干子功率开关包括:对所述P型盖帽层进行刻蚀,得到若干子P型盖帽层;在各个所述子P型盖帽层上分别形成栅极指叉金属场板;在各个所述栅极指叉金属场板两侧的势垒层上分别构造源极指叉金属场板和漏极指叉金属场板;所述源极指叉金属场板为对应的所述子功率开关的源极,所述漏极指叉金属场板为对应的所述子功率开关的漏极,所述栅极指叉金属场板为对应的所述子功率开关的栅极;所述源极指叉金属场板、所述栅极指叉金属场板和所述漏极指叉金属场板依次交替排列;所述二极管包括形成在势垒层上的阳极金属层和阴极金属层;同一功能区内的各个所述阳极金属层和各个所述阴极金属层依次交替排列;至少一个所述阳极金属层与对应的所述子功率开关的源极连接,至少一个所述阴极金属层与对应的所述子功率开关的漏极连接。
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