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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种控制基板及其制备方法、发光面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211027092.3，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种控制基板及其制备方法、发光面板是由李菲菲;何伟;宁策;李正亮;胡合合;赵坤;黄杰;姚念琦;贺家煜设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种控制基板及其制备方法、发光面板在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种控制基板及其制备方法、发光面板。控制基板包括：第一金属层，位于有源层、栅电极和第一绝缘层的背离衬底的一侧，包括源电极、漏电极和第一金属走线；依次位于第一金属层的背离衬底一侧的第一钝化层和第一有机层，第一有机层开设有第一过孔和第二过孔，第一过孔与漏电极在衬底上的正投影至少部分相交，第二过孔与第一金属走线在衬底上的正投影至少部分相交；第二钝化层，位于第一有机层的背离衬底的一侧，开设有位于第一过孔位置的第三过孔和位于第二过孔位置的第四过孔，第三过孔贯穿第二钝化层和第一钝化层而暴露出漏电极的部分表面，第四过孔贯穿第二钝化层和第一钝化层而暴露出第一金属走线的部分表面。

本发明授权一种控制基板及其制备方法、发光面板在权利要求书中公布了：1.一种控制基板，其特征在于，包括：衬底；有源层、栅电极和第一绝缘层，位于所述衬底的一侧；第一金属层，位于所述有源层、所述栅电极和所述第一绝缘层的背离所述衬底的一侧，所述第一金属层包括源电极、漏电极和第一金属走线；第一钝化层，位于所述第一金属层的背离所述衬底的一侧；第一有机层，位于所述第一钝化层的背离所述衬底的一侧，所述第一有机层开设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述漏电极在所述衬底上的正投影至少部分相交，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一金属走线在所述衬底上的正投影至少部分相交；第二钝化层，位于所述第一有机层的背离所述衬底的一侧，所述第二钝化层开设有第三过孔和第四过孔，所述第三过孔位于所述第一过孔，所述第三过孔贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层而暴露出所述漏电极的部分表面，所述第四过孔位于所述第二过孔，所述第四过孔贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层而暴露出所述第一金属走线的部分表面；所述控制基板还包括反射层，所述反射层位于所述第一有机层和所述第二钝化层之间；所述反射层包括第一反射环，所述第一反射环设置于所述第一过孔的侧壁；和或，所述反射层包括第二反射环，所述第二反射环设置于所述第二过孔的侧壁。

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